Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)

Collaborazioni

1) ISTITUTO DI FOTONICA E NANOTECNOLOGIE (IFN-CNR): nell'ambito dell'attività sullo scaling spinto dei dispositivi CMOS (laser annealing).
2) ISTITUTO MOTORI (IM): nell'ambito dell'attività per la realizzazione di un sensore di pressione in carburo di silicio.
2) CEA/LETI/DTS (Grenoble): nell'ambito dell'attività sulle memorie a nanocristalli.
2) CEA/SPAM (Francia): nell'ambito dell'attività per la realizzazione di dispositivi elettroluminescenti integrati in Si basati su nanocristalli di Si.
2) Interuniversity MicroElectronics Centre (IMEC): nell'ambito dell'attività per la realizzazione e caratterizzazione di giunzioni ultrasottili.
4) INFM (Unità di Catania): nell'ambito dell'attività per la realizzazione di dispositivi elettroluminescenti integrati in Si basati su nanocristalli di Si.
3) INSTITUT DES SCIENCES DE LA MATIERE ET DU RAYONNEMENT (Caen): nell'ambito dell'attività per la realizzazione di dispositivi elettroluminescenti integrati in Si basati su nanocristalli di Si.3) PHILIPS INNOVATIVE TECHNOLOGY SOLUTIONS (Heverlee - Belgio): nell'ambito dell'attività sulle memorie a nanocristalli.
4) ASM INTERNATIONAL N.V. (Bilthoven - Olanda): nell'ambito dell'attività sulle memorie a nanocristalli.
5) CNRS-IMEP (Grenoble): nell'ambito dell'attività sulle memorie a nanocristalli.
6) ISD INTEGRATED SYSTEM DEVELOPMENT S.A. (Atene - Grecia): nell'ambito dell'attività sulle memorie a nanocristalli.
7) POLITECNICO DI MILANO: nell'ambito dell'attività sulle memorie a nanocristalli.
8) UNIVERSITE JOSEPH FOURIER (Grenoble): nell'ambito dell'attività sulle memorie a nanocristalli.
9) EPITAXIAL TECHNOLOGY CENTER (ETC): collaborazione per lo sviluppo di un processo di crescita epitassiale di carburo di silicio.
10) Istituto DIMES, della Techincal University di Delft (NL): collaborazione per lo sviluppo di dispositivi optoelettronici.
11) UCLA, Los Angeles (USA): collaborazione per lo sviluppo di dispositivi PBG.
12) Istituto Elettrotecnico Nazionale "Galileo Ferraris", Torino: collaborazione per lo sviluppo di sensori in silicio poroso.
13) ENEA, centro ricerche di Portici (NA): collaborazione per lo sviluppo di componenti in silicio amorfo.
14) Università degli Studi di Napoli "Federico II": collaborazione per lo sviluppo di sensori fisici e chimici.
15) Università degli Studi della Calabria, Cosenza: collaborazione per lo sviluppo di logiche di controllo per microsistemi.
16) Università degli Studi di Reggio Calabria: collaborazione per lo sviluppo di dispositivi optoelettronici
17) Istituto di Cibernetica del CNR, Pozzuoli (NA): collaborazione per lo sviluppo di tecniche ottiche di caratterizzazione.
18) Istituto Nazionale di Ottica Applicata, Firenze e Pozzuoli (NA): collaborazione per lo sviluppo di dispositivi elettroottici.

19) Istituto INFN - sezione di Bologna: collaborazione per lo sviluppo di emettitori di elettroni a base di nanotubi di carbonio
20) Università di Bologna - Dipartimento di Fisica: sviluppo di rivelatori di particelle
21) CEMES, CNRS - Groupe NanoMat, Tolosa (Fr): collaborazioni nell'ambito della caratterizzazione strutturale di nanotubi di carbonio con tecniche HRTEM complementari a quelle esistenti in Istituto.
22) ST Microelectronics Catania e Napoli: collaborazione nell'ambito di un contratto di ricerca per la realizzazione e caratterizzazione di contatti ohmici ai CNTs e di dispositivi a base di CNTs.
23) Università di Bologna - Dipartimento Chimica Industriale: studi di catalizzatori per sintesi di nanotubi di carbonio
24) Università di Roma Tor Vergata: collaborazione per lo sviluppo di emettitori di elettroni a base di CNTs
25) Università di Parma - Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione: affidabilità ed elettromigrazione
26) Università di Perugia - Dipartimento di Ingegneria Elettronica ed Informatica: affidabilità ed elettromigrazione
27) ST Microelectronics Agrate B.: affidabilità ed elettromigrazione
28) University of Oslo, Norvegia: laser annealing
29) Lambda Physik, Germania: laser annealing
30) Istituto dei Materiali per l' Elettronica ed il Magnetismo - CNR: studi di difetti indotti da impiantazione ionica
31) European Synchrotron Radiation Facility, Francia: diffrazione X da film sottili di NiSi
32) Dipartimento di Chimica, Università di Catania: spettroscopia Raman di nanotubi di Carbonio
33) Instituto de Carboquímica (CSIC), Zaragoza, Spagna: sintesi di nanotubi di Carbonio
34) SAGEM, Francia: laser annealing
35) Universita' di Malta

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Collaborazioni attive nell'ambito dell'Area Alte frequenze:
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ESA-ESTEC, Noordwijk, Olanda
ALCATEL ALENIA SPACE ITALIA, Roma e L'Aquila
SELEX-SI, Roma
ST Microelectronics, Agrate Brianza
Fondazione Bruno Kessler (ex-ITC)-irst, Trento
Un. RM "Tor Vergata", Ing. Elettronica
IMT Bucarest, Romania
EU Network of Excellence AMICOM
The George Washington University, Washington, DC, USA
Institute of Radioengineering and Electronics, Mosca, Russia
Un. PG, Ing. Elettronica
Un. Monaco, Germania
VTT, Helsinki, Finlandia
Southwest Inst. Appl. Magnetics, Cina
Università di Roma "La Sapienza"
Università della Calabria
Ministero degli Affari Esteri
Aristotle University of Thessaloniki (Grecia)
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