Research project

GaN4AP - Gallium Nitride for Advanced Power Applications (DFM.AD001.390)

Thematic area

Physical sciences and technologies of matter

Project area

Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)

Structure responsible for the research project

Institute for microelectronics and microsystems (IMM)

Project manager

FABRIZIO ROCCAFORTE
Phone number: 055-5968226
Email: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it

Abstract

L'obiettivo principale del progetto GaN4AP è lo sviluppo sistemi elettronici di potenza basati su GaN con perdite di energia prossime allo zero. Il progetto si articola su quattro grandi obiettivi:
- Sviluppare convertitori basati su GaN HEMTs allo stato dell'arte, con efficienza del 99%.
- Sviluppare materiali innovativi quali AlScN, per HEMTs in grado di operare a correnti e densità di potenza circa doppie rispetto al tradizionale AlGaN.
- Sviluppare MOSFET verticali in GaN da 1200V realizzati su materiale bulk di alta qualità cristallina
- Sviluppare un nuova soluzione integrata in GaN (STi2GaN) sia come System in Package (SiP) che monolitica, per applicazioni automotive.
Nel progetto, il gruppo di ricerca del CNR-IMM di Catania si occupa principalmente della validazione di GaN bulk tramite diodi Schottky, e dello studio di nuove eterostrutture AlScN/GaN e di fenomeni di instabilità di soglia in HEMT commerciali con gate in p-GaN.

Start date of activity

01/06/2021

Keywords

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Last update: 28/03/2024