GaN4AP - Gallium Nitride for Advanced Power Applications (DFM.AD001.390)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)
Responsabile di progetto
FABRIZIO ROCCAFORTE
Telefono: 055-5968226
E-mail: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it
Abstract
L'obiettivo principale del progetto GaN4AP è lo sviluppo sistemi elettronici di potenza basati su GaN con perdite di energia prossime allo zero. Il progetto si articola su quattro grandi obiettivi:
- Sviluppare convertitori basati su GaN HEMTs allo stato dell'arte, con efficienza del 99%.
- Sviluppare materiali innovativi quali AlScN, per HEMTs in grado di operare a correnti e densità di potenza circa doppie rispetto al tradizionale AlGaN.
- Sviluppare MOSFET verticali in GaN da 1200V realizzati su materiale bulk di alta qualità cristallina
- Sviluppare un nuova soluzione integrata in GaN (STi2GaN) sia come System in Package (SiP) che monolitica, per applicazioni automotive.
Nel progetto, il gruppo di ricerca del CNR-IMM di Catania si occupa principalmente della validazione di GaN bulk tramite diodi Schottky, e dello studio di nuove eterostrutture AlScN/GaN e di fenomeni di instabilità di soglia in HEMT commerciali con gate in p-GaN.
Data inizio attività
01/06/2021
Parole chiave
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Ultimo aggiornamento: 27/04/2024