FOTONICS - Fabbricazione e Ottimizzazione di un foTOrivelatore a larga baNda a base di Isolante topologiCo e Silicio (DFM.AD003.419)

Thematic area

Physical sciences and technologies of matter

Project area

Structure responsible for the research project

Institute of structure of matter (ISM)

Project manager

DANIELE CATONE
Phone number: 0645488057
Email: daniele.catone@cnr.it

Abstract

I film nanometrici di Bi2Se3 (BSF) sono nuovi isolanti topologici (TI) atossici che hanno potenzialità per la realizzazione di fotorivelatori (PD) basati su eterogiunzioni BSF/Si (HBS) operanti a basse tensioni. Come tutti i TI, essi sono semiconduttori internamente e presentano in superficie stati metallici caratterizzati da coni di Dirac, originanti un'altissima mobilità delle cariche. Il gap elettronico è regolabile da 0.3 a 0.8 eV variando lo spessore del BSF. L'assorbimento ottico si estende dall'ultravioletto (UV) all'infrarosso (IR). La crescita dei BSF avviene per deposizione da fase vapore (CVD), tecnica economica e scalabile. Il progetto mira a costruire e ottimizzare le prestazioni di PD basati su HBS per ottenere un PD ultraveloce operante a basse tensioni dall'UV all'IR. Questo obiettivo sarà raggiunto depositando per CVD vari spessori di BSF su substrati di Si e studiando la risposta dei PD vs le proprietà strutturali e optoelettroniche dei BSF, del Si e della HBS.

Start date of activity

15/04/2021

Keywords

isolante topologico, fotorivelazione, optoelettronica

Last update: 28/04/2025