FOTONICS - Fabbricazione e Ottimizzazione di un foTOrivelatore a larga baNda a base di Isolante topologiCo e Silicio (DFM.AD003.419)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Materiali innovativi (DFM.AD003)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto di struttura della materia (ISM)
Responsabile di progetto
DANIELE CATONE
Telefono: 0645488057
E-mail: daniele.catone@cnr.it
Abstract
I film nanometrici di Bi2Se3 (BSF) sono nuovi isolanti topologici (TI) atossici che hanno potenzialità per la realizzazione di fotorivelatori (PD) basati su eterogiunzioni BSF/Si (HBS) operanti a basse tensioni. Come tutti i TI, essi sono semiconduttori internamente e presentano in superficie stati metallici caratterizzati da coni di Dirac, originanti un'altissima mobilità delle cariche. Il gap elettronico è regolabile da 0.3 a 0.8 eV variando lo spessore del BSF. L'assorbimento ottico si estende dall'ultravioletto (UV) all'infrarosso (IR). La crescita dei BSF avviene per deposizione da fase vapore (CVD), tecnica economica e scalabile. Il progetto mira a costruire e ottimizzare le prestazioni di PD basati su HBS per ottenere un PD ultraveloce operante a basse tensioni dall'UV all'IR. Questo obiettivo sarà raggiunto depositando per CVD vari spessori di BSF su substrati di Si e studiando la risposta dei PD vs le proprietà strutturali e optoelettroniche dei BSF, del Si e della HBS.
Data inizio attività
15/04/2021
Parole chiave
isolante topologico, fotorivelazione, optoelettronica
Ultimo aggiornamento: 24/04/2024