La microscopia a scansione di sonda si è affermata come una delle tecniche più potenti per l'accesso diretto su scala nanometrica per la misura di proprietà chimico/fisiche e manipolazione diretta. L'attività dell'istituto si è affermata a livello internazionale per aver saputo implementare metodologie in grado di misurare proprietà elettroniche di materiali e dispositivi. Attualmente l'Istituto è un polo di riferimento internazionale per la misura di profili di portatori in nanostrutture e semiconduttori innovativi, misura diretta di profili di mobilità (introdotta per primi al mondo), proprietà dielettriche, uniformità di barriere Schottky e proprietà elettroniche. Tali misure hanno dato un contributo determinante allo sviluppo delle tecnologie su semiconduttori ad ampia banda proibita, materiali a permittività colossale, nanostrutture e nanotecnologie per microelettronica.
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