Fra i semiconduttori ad ampia banda proibita il GaN si è imposto all'attenzione internazionale poiché avendo una banda diretta ha permesso la realizzazione di LED e LASER a stato solido nel blu ultravioletto ed a luce bianca. Tale interesse si è rivelato una driving force importante per il miglioramento della qualità elettronica del materiale fino a renderla accettabile anche per altre applicazioni quali la realizzazione di dispositivi di potenza (alte tensioni, alte correnti, alte frequenze con elevate densità di potenza).
L'istituto ha sviluppato autonomamente la tecnologia sul GaN per la realizzazione di diodi schottky di potenza, HEMT e sta studiando nuovi dispositivi in GaN per applicazioni di potenza. Processi innovativi sono oggetto di trasferimento tecnologico a granzi aziende nazionali quali ST Microelectronics e Selex Sistemi.
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