ARISTOTELE - Advanced Research & Innovation in Solid-State Thermionic Emission for Light & Energy (DFM.AD001.305)

Thematic area

Physical sciences and technologies of matter

Project area

Structure responsible for the research project

Institute of structure of matter (ISM)

Project manager

DANIELE MARIA TRUCCHI
Phone number: +390690672558
Email: daniele.trucchi@ism.cnr.it

Abstract

L'ingegnerizzazione dei difetti di semiconduttori ad ampia bandgap consiste nell'introduzione di difetti microscopici locali nel reticolo cristallino in condizioni altamente non lineari, indotte generalmente mediante impulsi laser ultracorti. Ciò ha già permesso lo sviluppo del "black diamond", un materiale con proprietà ottiche e fotoelettroniche enormemente migliorate rispetto ai film di diamante trasparente, pur mantenendo le eccellenti capacità di trasporto della carica. Lo sviluppo coinvolgerà anche altri semiconduttori ad ampia bandgap ai fini dello sviluppo di piattaforme optoelettroniche e sistemi per la conversione di energia solare ad alta temperatura.

Goals

1) Sviluppo di convertitori di energia solare concentrata operanti ad alta temperatura.
2) Sviluppo dei componenti elementari di una piattaforma elettronica nel trasformare fotoni in carica e viceversa, trasportare fotoni e carica, emettere fotoni e carica.
3) Estensione dei risultati a semiconduttori ad ampia bandgap.
4) Preparazione di proposte di progetto per finanziare consistentemente l'attività negli anni a venire.

Start date of activity

01/10/2020

Keywords

wide bandgap semiconductors, Energy conversion, Optoelectronics

Last update: 20/06/2025