Studio e realizzazione di componenti elettronici attivi su Power device in SiC (DFM.AD001.204)

Thematic area

Physical sciences and technologies of matter

Project area

Structure responsible for the research project

Institute for microelectronics and microsystems (IMM)

Project manager

FABRIZIO ROCCAFORTE
Phone number: 0955968226
Email: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it

Abstract

Il contratto di ricerca tra ST e CNR-IMM è finalizzato allo sviluppo di tecnologie per dispositivi in carburo di silicio, ai processi di epitassia di carburo di silicio, ed alle caratterizzazioni avanzate di materiali per dispositivi in SiC. Nell'ambito del contratto, vengono trattate le seguente tematiche di ricerca:

1.1. Formazione di contatti ohmici in siliciuro di nickel su SiC mediante laser annealing
1.2. Contatti metallici su SiC per dispositivi MOSFETs, diodi Schottky e JBS
1.3. Studio del sistema SiO2/SiC e ossidi di gate del canale dei dispositivi MOSFETs
1.4. Studio di nuovi dielettrici su SiC depositati per ALD
2.1. Omoepitassia 4H-SiC
2.2. Eteroepitassia 3C-SiC/Si
2.3. Realizzazione di Silicio poroso (o substrati patternati) come substrato per l'hetero-epitassia del 3C-SiC
3.1. Caratterizzazione strutturale e profilo metrica di materiali e moduli tecnologici mediante microscopia elettronica in trasmissione
3.2. Caratterizzazione strutturale e profilometrica di materiali e moduli tecnologici mediante microscopia a scansione di sonda
3.3. Caratterizzazione elettromeccanica su scala nano, micro e macroscopica

Start date of activity

06/12/2017

Keywords

SiC

Last update: 18/04/2024