Accordo di collaborazione tra ISOF ed IMM nell'ambito del progetto GRAFHENE (DFM.AD001.106)

Thematic area

Physical sciences and technologies of matter

Project area

Structure responsible for the research project

Institute for microelectronics and microsystems (IMM)

Project manager

FILIPPO GIANNAZZO
Phone number: 0955968242
Email: filippo.giannazzo@imm.cnr.it

Abstract

Il progetto è finalizzato allo studio delle problematiche fisiche connesse allo sviluppo di dispositivi elettronici in grafene e materiali 2D (quali il MoS2) su substrati flessibili per applicazioni di tipo elettronico e/o sensoristico. In questo contesto, è previsto lo sviluppo di processi elementari di fabbricazione (quali deposizione di dielettrici e metalli, litografia ed attacchi,..) compatibili con le limitazioni dei suddetti substrati sia in termini di temperatura di processo che resistenza agli agenti chimici. Fra gli aspetti principali oggetto di studio sono il distacco del grafene cresciuto per deposizione chimica da fase vapore su metalli catalitici (Cu, Ni,..) e il trasferimento su substrati rigidi o flessibili, eventualmente strutturati. Uno degli obiettivi del progetto è la realizzazione di una struttura di transistore ad effetto di campo con il canale in grafene modulato da un back-gate, da utilizzate come piattaforma per implementare varie funzionalità sensoristiche (sensore di pH, chimico,...). Le specifiche funzionalità e/o la selettività a determinate specie chimiche potrà essere raggiunta mediante appropriata funzionalizzazione del canale in grafene.

Goals

- Sviluppo di un metodo di delaminazione elettrolitica per il distacco del grafene CVD dai substrati di crescita (metalli catalitici, quali Cu e Ni) e di metodi tipo "thermo-compression printing" e/o "roll-to-roll" per il trasferimento delle membrane di grafene su substrati rigidi o flessibili, eventualmente strutturati.
- Sviluppo di processi per la fabbricazione di dispositivi ad effetto di campo (FET) in grafene su substrati rigidi e/o flessibili per applicazioni elettroniche e/o sensoristiche.
- Realizzazione di strutture back-gated FET con canale in grafene, da utilizzare come piattaforma per sensori ambientali/chimici.
- Realizzazione di prototipi di FET in MoS2 per lo studio delle proprietà di trasporto di carica in questo materiale.

Start date of activity

01/10/2013

Keywords

grafene, elettronica flessibile, sensori

Last update: 19/04/2024