"Tecnologie di fabbricazione di microelettronica e tecniche di caratterizzazione di dispositivi basati su semiconduttori a larga band-gap (GaN, SiC), per applicazioni elettroniche di alta frequenza e alta potenza" (DFM.AD006.262)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Infrastrutture di ricerca , strumentazione avanzata e nuove metodologie sperimentali e di calcolo (DFM.AD006)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Dipartimento Scienze fisiche e tecnologie della materia
Altre strutture che collaborano al progetto di ricerca
Responsabile di progetto
ALESSANDRO PECORA
Telefono: 0649934064
E-mail: ALESSANDRO.PECORA@CNR.IT
Abstract
Obiettivo del progetto è l'offerta di servizi per lo sviluppo e l'ottimizzazione di
processi di fabbricazione di dispositivi di alta frequenza e/o potenza basati su
tecnologia dei semiconduttori a larga band-gap di energia quali Nitruro di Gallio
(GaN) e Carburo di Silicio (SiC).
L'offerta del servizio include la caratterizzazione con tecniche standard (SEM,
Elettriche DC/AC, ecc.) e l'implementazione di tecniche innovative (elettriche e/o
ottiche) per lo studio dell'affidabilità dei dispositivi ad alta frequenza e/o potenza
come ad esempio gli High Electron Mobility Transistors (HEMT).
Data inizio attività
01/01/2021
Parole chiave
Wide Band-gap Semiconductor, hemt, High Frequency and Power electronic devices
Ultimo aggiornamento: 09/12/2024