ETMOS - Epitaxial Transition Metal dichalcogenides Onto wide bandgap hexagonal Semiconductors for advanced electronics (DFM.AD001.397)

Area tematica

Scienze fisiche e tecnologie della materia

Area progettuale

Struttura responsabile del progetto di ricerca

Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)

Responsabile di progetto

FILIPPO GIANNAZZO
Telefono: 0955968242
E-mail: filippo.giannazzo@imm.cnr.it

Abstract

Il progetto ETMOS, finanziato nell'ambito del bando transnazionale FlagERA 2019 "Grafene - Ricerca applicata e innovazione" in sinergia con la Flagship Graphene, è coordinato dal CNR-IMM e ha come partner il CNRS-CRHEA (Francia), IEE-SAS (Slovacchia), MFA-EK (Ungheria) e l'Università di Palermo (Italia). L'obiettivo principale del progetto è lo sviluppo di strati bidimensionali di dicalcogenuri dei metalli di transizione (TMDs), quali MoS2 e WSe2, su semiconduttori esagonali ampia banda proibita (WBG), quali SiC, GaN, AlN e leghe AlGaN, mediante tecniche di deposizione scalabili come CVD, MBE o PLD. Oltre alle attività di sviluppo dei materiali, il progetto prevede:
- La caratterizzazione multi-scala delle proprietà strutturali, chimiche, ottiche ed elettriche degli strati depositati;
- Le simulazioni dei processi di crescita e i calcoli della struttura elettronica dei materiali 2D sui substrati WBG;
- Lo sviluppo delle principali fasi di processo (drogaggio, contatti, dielettrici, attacchi) sui film depositati;
- La dimostrazione di prototipi di dispositivi avanzati (diodi tunnel, transistori ad elettroni caldi, fotorivelatori UV) basati sulle eterogiunzioni fra TMDs e WBG.

Data inizio attività

01/04/2020

Parole chiave

Transition metal dichalcogenides, wide bandgap semicductors, molecular beam epitaxy

Ultimo aggiornamento: 24/04/2024