Dispositivi di potenza basati su GaN (DFM.AD001.218)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)
Altre strutture che collaborano al progetto di ricerca
Responsabile di progetto
LUIGI MARIUCCI
Telefono: 0649934706
E-mail: luigi.mariucci@cnr.it
Abstract
L'obiettivo del progetto è lo sviluppo di una metodologia di ottimizzazione, in fase di design, di dispositivi di potenza in GaN. L'attività si prefigge di sviluppare un ambiente di simulazione integrato che consenta la ottimizzazione contemporanea delle prestazioni elettromagnetiche e termiche per HPA (High Power Amplifier) ad elevata potenza, per la realizzazione di trasmettitori a stato solido. Lo sviluppo Includerà un simulatore di processo per la realizzazione di modelli quanto più possibile simili ai dispositivi reali realizzati. A supporto di questo sviluppo si procederà anche nella messa a punto delle tecnica Raman per caratterizzazione termica di altissima risoluzione spaziale (circa 1 µm) Il progetto prevede lo sviluppo di un HPA che costituirà il veicolo di validazione dei modelli sviluppati e realizzerà i wafer con un "Foundry Run", per la validazione sperimentale. Nell'ambito del progetto inoltre si valuteranno materiali innovativi a bassa resistenza termica da utilizzare nell'integrazione degli HPA all'interno di opportuni package, sempre nell'ottica dell'ottimizzazione del "thermal management" nell'assieme finale.
Data inizio attività
10/04/2018
Parole chiave
GaN-HEMT
Ultimo aggiornamento: 25/04/2024