Studio e realizzazione di componenti elettronici attivi su Power device in SiC (DFM.AD001.204)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)
Responsabile di progetto
FABRIZIO ROCCAFORTE
Telefono: 0955968226
E-mail: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it
Abstract
Il contratto di ricerca tra ST e CNR-IMM è finalizzato allo sviluppo di tecnologie per dispositivi in carburo di silicio, ai processi di epitassia di carburo di silicio, ed alle caratterizzazioni avanzate di materiali per dispositivi in SiC. Nell'ambito del contratto, vengono trattate le seguente tematiche di ricerca:
1.1. Formazione di contatti ohmici in siliciuro di nickel su SiC mediante laser annealing
1.2. Contatti metallici su SiC per dispositivi MOSFETs, diodi Schottky e JBS
1.3. Studio del sistema SiO2/SiC e ossidi di gate del canale dei dispositivi MOSFETs
1.4. Studio di nuovi dielettrici su SiC depositati per ALD
2.1. Omoepitassia 4H-SiC
2.2. Eteroepitassia 3C-SiC/Si
2.3. Realizzazione di Silicio poroso (o substrati patternati) come substrato per l'hetero-epitassia del 3C-SiC
3.1. Caratterizzazione strutturale e profilo metrica di materiali e moduli tecnologici mediante microscopia elettronica in trasmissione
3.2. Caratterizzazione strutturale e profilometrica di materiali e moduli tecnologici mediante microscopia a scansione di sonda
3.3. Caratterizzazione elettromeccanica su scala nano, micro e macroscopica
Data inizio attività
06/12/2017
Parole chiave
SiC
Ultimo aggiornamento: 13/10/2024