Dagli Highlights

Una tecnica innovativa per realizzare nanosistemi

La comunità scientifica internazionale è molto interessata allo sviluppo e all'ottimizzazione di tecniche sostenibili di sintesi per la realizzazione di nanosistemi a base di ossidi di rame (Cu O e CuO), alla base di molte applicazioni tecnologicamente avanzate in vari settori, a partire dalla rivelazione di inquinanti gassosi fino alla possibilità di determinarne la conversione in prodotti a ridotto impatto ambientale. L'Istituto di Scienze e Tecnologie Molecolari del CNR ha dato un significativo contributo mettendo a punto una metodologia innovativa di sintesi basata sulla deposizione chimica da vapore (CVD, Chemical Vapor Deposition) a partire da un innovativo precursore molecolare mai utilizzato in precedenza per simili processi, Cu(hfa) •TMEDA (hfa = 1,1,1,5,5,5-esafluoro-2,4-pentandione; TMEDA = N,N,N',N'-tetrametiletilendiammina). Il processo CVD consiste nel depositare su supporto solido un film sottile di un composto dal precursore molecolare in questione, inizialmente introdotto in forma gassosa e lasciato poi decomporre sulla superficie del supporto stesso, ottenendo così alta velocità di deposizione, omogeneità e purezza dello strato distribuito sul supporto stesso: i risultati ottenuti hanno mostrato che variazioni controllate nella temperatura di crescita da 250 a 550°C consen- tono un accurato controllo della composizione di fase del materiale (da Cu O, a Cu O+CuO, a CuO) - un importante prerequisito per applicazioni funzionali - rivelando anche una progressiva evoluzione morfologica del materiale stesso, dallo stato di film con porosità modulabile in funzione delle condizioni di sintesi a sistema costituito da nanofili interconnessi con elevato rapporto lunghezza/ diametro.

Autori: D. Barreca, A. Gasparotto, C. Maccato, E. Tondello, O. I. Lebedev e G. Van Tendeloo

Titolo: CVD of Copper Oxides from a Diketonate Diamine Precursor: Tailoring the Nano-Organization

Rivista: Crystal Growth & Design

Anno: 2009

Riferimenti bibliografici: 2009, 9 (5), 2470-2480