Sviluppo di processi e caratterizzazioni per dispositivi di potenza in SiC (DFM.AD001.373)

Thematic area

Physical sciences and technologies of matter

Project area

Structure responsible for the research project

Institute for microelectronics and microsystems (IMM)

Project manager

FABRIZIO ROCCAFORTE
Phone number: 0955968211
Email: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it

Abstract

All'interno di questo contratto vengono sviluppate le seguenti tematiche:

Capitolo 1 : Sviluppo di tecnologie per dispositivi in carburo di silicio
1.1   Formazione di contatti ohmici in siliciuro di nickel su SiC mediante laser annealing
1.2 Contatti metallici innovativi su SiC per diodi Schottky e JBS
1.3 Studio di interfacce SiO2/SiC e ossidi di gate del canale dei dispositivi MOSFET
1.4 Studio di nuovi dielettrici ad alta permittività per MOSFET in SiC depositati per ALD
Capitolo 2 : Sviluppo di processi di epitassia di carburo di silicio
2.1 Omoepitassia 4H-SiC
2.2 Eteroepitassia 3CSiC/Si
Capitolo 3: Caratterizzazioni di materiali per dispositivi in SiC
3.1 Caratterizzazione strutturale e profilo metrica di materiali e moduli tecnologici mediante microscopia elettronica in trasmissione
3.2 Caratterizzazione strutturale e profilometrica di materiali e moduli tecnologici mediante microscopia a scansione di sonda
3.3 Studio della fattibilità di analisi SRP per profili di portatori in carburo di silicio
3.4 Caratterizzazione elettromeccanica su scala nano, micro e macroscopica

Goals

L'obiettivo dell'attività del CNR-IMM è fornire supporto e consulenza ad STMicroelectronics tramite lo sviluppo di processi innovativi e l'applicazione di caratterizzazioni avanzate, al fine di ottimizzare le prestazioni dei dispositivi esistenti (MOSFET e JBS) e di porre le basi per lo sviluppo tecnologico di dispositivi di nuova generazione.

Start date of activity

05/05/2021

Keywords

SiC, power devices

Last update: 07/08/2025