Materiali e processi avanzati per dispositivi di potenza ed alta frequenza (autofinanziato) (DFM.AD001.388)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)
Responsabile di progetto
FABRIZIO ROCCAFORTE
Telefono: 0955968226
E-mail: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it
Abstract
Il progetto è finalizzato allo studio di materiali e processi avanzati per dispositivi di potenza ed alta frequenza ad elevata efficienza energetica, e racchiude competenze multidisciplinari (fisica, chimica, ingegneria, scienza dei materiali). Le tematiche di ricerca trattate sono: Sviluppo e studio della fisica dei processi tecnologici per dispositivi su semiconduttori ad ampia banda proibita quali SiC, GaN, Ga2O3, AlN, etc. (diodi Schottky e p-n, capacitori MOS, MOSFETs, HEMTs, MISHEMTs, rivelatori, etc.); Nanotecnologie per elettronica integrata (processi e dispositivi in grafene, MoS2 ed altri materiali 2D, integrazione di materiali 2D su semiconduttori ad ampia banda proibita, tecniche di nanocaratterizzazione tramite microscopia a scansione di sonda, attività esplorative su dispositivi nanostrutturati); Materiali multifunzionali ed innovativi (ossidi ad alta permittività, ossidi nanolaminati, nuovi dielettrici per SiC e GaN e per dispositivi con gas bidimensionali, crescita di film sottili per ALD ed MOCVD). I ricercatori coinvolti collaborano con i maggiori gruppi europei accademici e industriali.
Data inizio attività
26/11/2021
Parole chiave
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Ultimo aggiornamento: 27/08/2025