Deposizione tramite sputtering film amorfi di GaN (DFM.AD001.297)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)
Responsabile di progetto
FABIO DI PIETRANTONIO
Telefono: 0645488736
E-mail: fabio.dp@artov.imm.cnr.it
Abstract
Deposizione di film di GaN amorfo mediante RF magnetron sputtering. Saranno prodotti almeno 20 campioni con parametri di deposizione diversi. Questi saranno caratterizzati utilizzando diverse tecniche da EGO. Saranno investigati la morfologia, la struttura cristallina o non cristallina e la rugosità.
Obiettivi
deposizione di film amorfi a bassa rugosità per applicazioni ottiche
Data inizio attività
01/07/2020
Parole chiave
Sputtering, GaN, Amorfo
Ultimo aggiornamento: 10/08/2025