Progetto OPTOaSi_Dispositivi Optoelettronici a base di silicio amorfo (DFM.AD005.132)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Fotonica: dai processi fisici ai componenti e sistemi e relative applicazioni (DFM.AD005)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)
Responsabile di progetto
MARIO IODICE
Telefono: 0816132372
E-mail: mario.iodice@cnr.it
Abstract
L'obiettivo scientifico primario del progetto riguarda la realizzazione, mediante tecnologie micro- e nano-elettroniche, di un modulatore di luce infrarossa a base di silicio amorfo compatibile con i circuiti CMOS, per applicazioni nel campo delle telecomunicazioni o del sensing, avente una larghezza di banda pari o superiore ad 1 GHz. L'attività puo' essere intesa come la naturale prosecuzione della ricerca svolta nell'ambito del progetto HELIOS--pHotonics ELectronics functional Integration on CMOS (FP7-224312 call FP7-ICT-2007-2).
Obiettivi
Progettazione di innovativi dispositivi optoelettronica basati su silicio amorfo, pilotabili mediante l'effetto di dispersione da portatori liberi caratterizzati da basso consumo (fJ/bit) ed elevata velocità (Gb/s).
Data inizio attività
01/01/2017
Parole chiave
silicon photonics, silicio amorfo, modulazione elettro-ottica
Ultimo aggiornamento: 19/05/2025