SELEX 2014: Litografia EBL su GaAs (DFM.AD001.047)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN)
Responsabile di progetto
ENNIO GIOVINE
Telefono: 06415221
E-mail: ennio.giovine@cnr.it
Abstract
Esecuzione di Processi di litografia a fascio elettronico su campioni del committente.
Obiettivi
EBL su substrati GaAs e GaN e la realizzazione di strutture di gate con lunghezza fino a 0.15µm.
Data inizio attività
11/04/2014
Parole chiave
litografia elettronica, GaAs, HEMT
Ultimo aggiornamento: 29/04/2024