ELEGANTE - Electronics on GaN-based Technologies (DFM.AD001.252)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Dipartimento Scienze fisiche e tecnologie della materia
Altre strutture che collaborano al progetto di ricerca
Responsabile di progetto
FABRIZIO ROCCAFORTE
Telefono: 0955968226
E-mail: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it
Abstract
La finalità principale del progetto è lo sviluppo di tecnologie abilitanti per componenti in GaN, operanti nelle onde millimetriche ed, in particolare, di tecnologie per lo sviluppo di un sensore RADAR FMCW (Frequency Modulated Continuous Wave) anti-collisione, in grado di rilevare piccoli ostacoli per elicotteri che operano in condizioni critiche. I dimostratori proposti saranno un High Power Amplifier operante nelle onde millimetriche ed un transistor HEMT normally-off di potenza da 650V.
Per raggiungere questi obiettivi, le attività spazieranno dalla definizione delle specifiche operative, alla crescita dei materiali, allo sviluppo tecnologico dei processi, fino alla realizzazione dei dimostratori. Il progetto contiene importanti elementi di innovazione, sia per quanto riguarda i materiali, che per i processi di realizzazione dei dispositivi. L'eccellenza è garantita dall'interazione tra i maggiori soggetti industriali (STMicroelectronics e Leonardo) con il maggiore ente pubblico di ricerca italiano (CNR) ed il valore aggiunto dato dalla PMI operante nel settore del carburo di silicio (LPE).
Obiettivi
OR1.Studio scenari in materiali e dispositivi
RI1.1.Studio scenari applicativi
RI1.2.Analisi requisiti sensore
RI1.3.Analisi requisiti tecnologie di base
OR2.Crescita,caratterizzazione eterostrutture innovative
RI2.1.Sviluppo epitassie 4H-SiC ad elevata resistività
RI2.2.Crescita GaN/AlGaN e InAl(GaN)/GaN su SiC
RI2.3.Caratterizzazione chimico-fisica
OR3.Tecnologie transistori normally-on in GaN
RI3.1.Processi dry etch su strutture HEMT
RI3.2.Contatti ohmici e Schottky di gate d 0.15 ¼m a Ft >30 GHz
RI3.3.Dielettrici di passivazione dispositivi HEMT
RI3.4 Validazione a wafer level di processi per HEMT normally-on
RI3.5.HPA basato su HEMT normally-on ad alta frequenza
OR4.Tecnologie transistori di potenza normally-off in GaN
RI4.1.Attacco AlGaN/GaN con controllo nm
RI4.2.Metallizzazioni contatto ohmico su AlGaN/GaN
RI4.3.Dielettrici dispositivi HEMT normally-off
SS4.4.Caratterizzazione wafer level processi per HEMT
OR5.Realizzazione dimostratori
RI5.1.Flow chart HEMT normally-off da 650V
SS5.2.Integrazione di processo,caratterizzazioni componenti in package
RI5.3.Flow chart HEMT normally-on
SS5.4.Realizzazione, caratterizzazione HPA
SS5.5.Dimostratore scalato sensore
Data inizio attività
01/01/2019
Parole chiave
gan, .., ..
Ultimo aggiornamento: 30/04/2024