AFM and Raman scattering study of Ge/GaAs (100), (111)A and B heterostructures grown by MOVPE (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• AFM and Raman scattering study of Ge/GaAs (100), (111)A and B heterostructures grown by MOVPE (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Attolini G.; Bosi M.; Calicchio M.; Martinez O.; Hortelano V. (2009)
  AFM and Raman scattering study of Ge/GaAs (100), (111)A and B heterostructures grown by MOVPE
  in EW-MOVPE XIII, ULM, Germania
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Attolini G.; Bosi M.; Calicchio M.; Martinez O.; Hortelano V. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: EW-MOVPE XIII (ULM, Germania, 08-10/06 2009). Proceedings, article n. D4. EW-MOVPE XIII, 2009. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• ABSTRACT: In this communication we report on the growth of Ge heterolayers on (100), (111) A and B surfaces of GaAs substrates. Arsenic can play a role as both dopant and surfactant, changing the growth mechanism for the Ge/GaAs growth on (001) oriented substrates. The use of substrates oriented in different directions can change the growth mode and produce different results, since surface polarity can induce different growth modes: we have compared the results with respect to the non-polar surface case. The growth behavior on (001), (111)Ga and (111)As substrates is discussed. The layer morphology was investigated by Atomic Force Microscopy and Raman spectroscopy has been carried out as a function of the sample thickness (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMEM, Parma, Fisica de la Materia Condensada ETSII Universidad de Valladolid, Spain (literal)

Titolo

• AFM and Raman scattering study of Ge/GaAs (100), (111)A and B heterostructures grown by MOVPE (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO CALICCHIO (Unità di personale esterno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "AFM and Raman scattering study of Ge/GaAs (100), (111)A and B heterostructures grown by MOVPE" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• MARCO CALICCHIO (Unità di personale esterno)
• MATTEO BOSI (Persona)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "AFM and Raman scattering study of Ge/GaAs (100), (111)A and B heterostructures grown by MOVPE" (Insieme di parole chiave)