Mechanisms for the activation of ion-implanted Fe in InP (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Mechanisms for the activation of ion-implanted Fe in InP (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2220000 (literal)

Alternative label

• Cesca, T; Verna, A; Mattei, G; Gasparotto, A; Fraboni, B; Impellizzeri, G; Priolo, F (2006)
  Mechanisms for the activation of ion-implanted Fe in InP
  in Journal of applied physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Cesca, T; Verna, A; Mattei, G; Gasparotto, A; Fraboni, B; Impellizzeri, G; Priolo, F (literal)

Pagina inizio

• 023539 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 100 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Padua, Dept Phys, I-35131 Padua, Italy; Univ Bologna, Dept Phys, I-40137 Bologna, Italy; Catania Univ, MATIS, CNR, INFM, I-95123 Catania, Italy; Catania Univ, Dept Phys & Astron, I-95123 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Mechanisms for the activation of ion-implanted Fe in InP (literal)

Abstract

• In this paper we present structural and electrical investigations on high temperature Fe-implanted InP. The aim of the work is to relate the lattice position of the implanted atoms after annealing treatments (from 300 to 600 degrees C) with their electrical activation as compensating deep traps and to draw a comprehensive picture of the activation mechanisms. The overall results demonstrate that the electrical behavior and the Fe2+ deep trap activation properties are strictly connected to the annealing evolution of the implant-induced damage and to the escape process of the Fe atoms from substitutional sites, which in turn is controlled by the background doping density in the substrates. (c) 2006 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)