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K. Huet; G. Fisicaro; J. Venturini; H. Besauc\u00E8le; A. La Magna (2009)
Defect kinetics and dopant activation in submicrosecond laser thermal processes
in Applied physics letters
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "K. Huet; G. Fisicaro; J. Venturini; H. Besauc\u00E8le; A. La Magna"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "231901-1"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "231901-3"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://apl.aip.org/resource/1/applab/v95/i23/p231901_s1?ver=pdfcov"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "95"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID36511 pubblicazioni:rivista ns11:ID392626 ; skos:note "Scopu"^^xsd:string , "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Excico, 13-21 Quai des Gr\u00E9sillons, 92230 Gennevilliers, France\nDipartimento di Fisica e Astronomia, Universit\u00E0 di Catania, Via S. Sofia, 64, I-95123 Catania, Italy\nCNR-IMM Sezione Catania, Stradale Primosole 50, I-95121 Catania, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Defect kinetics and dopant activation in submicrosecond laser thermal processes"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Defect evolution in ion implanted c-Si at the submicrosecond time scales during a laser thermal annealing process is investigated by means of kinetic simulations. Nonmelting, melting, and partial melting regimes are simulated. Our modeling considers irradiation, heat diffusion, and phase transition together with defect diffusion, annihilation, and clustering. The reduction in the implantation damage and its reorganization in defect aggregates are studied as a function of the process conditions. The approach is applied to double implanted Si and compared to experimental data, indicating a relationship between damage reduction and dopant activation."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID6777 , istituto:CDS057 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA6734 . ns11:ID392626 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID36511 .