Effect of vacancy and interstitial excess on the deactivation kinetics of As in Si (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Effect of vacancy and interstitial excess on the deactivation kinetics of As in Si (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Solmi S. 1, Attari M. 2, Nobili D. 3 (2002)
    Effect of vacancy and interstitial excess on the deactivation kinetics of As in Si
    in Applied physics letters
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Solmi S. 1, Attari M. 2, Nobili D. 3 (literal)
Pagina inizio
  • 4774 (literal)
Pagina fine
  • 4776 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 80 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • Il lavoro si inserisce all'interno della problematica dello studio dei fenomeni di deattivazione connessi alla formazione di clusters, consistente nell'aggregazione di atomi del drogante, presumibilmente con una vacanza nel caso dell'As, ed ha luogo anche per concentrazioni molto inferiori al limite di solubilità, riducendo così la concentrazione dei portatori. Il fenomeno limita in modo molto grave le prospettive di ulteriore miniaturizzazione dei dispositivi elettronici, e quindi la loro velocità di risposta, in quanto la miniaturizzazione richiede una densità elettronica sempre pù elevata ( The International Technology Roadmap for Semiconductors.2001) . I nostri risultati sugli equilibri di solubilità, precipitazione e clustering dei droganti ( P, As , B ed Sb ) in Silicio sono stati implementati nei più importanti programmi di simulazione di processo di dispositivi quali ad esempio Suprem (Athena) e Dios (Ise-tcad). (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1. IMM-CNR Sezione di Bologna; 2. Faculty of Electrical Engineering, Houari Boumediene University, USTHB, Algiers, Algeria; 3. Dipartimento di Chimica Applicata e Scienza dei Materiali, Università di Bologna (literal)
Titolo
  • Effect of vacancy and interstitial excess on the deactivation kinetics of As in Si (literal)
Abstract
  • The effect of a point defect excess, vacancies, or, respectively, interstitials, on the deactivation kinetics of As in Si was verified on silicon on insulator (SOI) substrates uniformly doped at concentrations in the range 1.8 - 7E20 cm-3. SOI samples can provide more accurate carrier density measurements, moreover the buried oxide layer can prevent recombination of excess vacancies with the interstitials near the projected range. A dose of 5E15 cm-2 Si+ ions was implanted at 100 keV to obtain interstitials supersaturation (Iex), while the same Si1 dose, at an energy of 2 MeV, was used to generate an excess of vacancies (Vex). These specimens were isothermally heated at different temperatures and their annealing behavior was compared with the one of reference undamaged samples of the same composition, but without point defect excess. Our results indicate that neither the excess of interstitials nor the one of vacancies appreciably affect the deactivation rate. Once the implantation damage has annealed out, the samples with point defect excess are found in the same situation of the reference ones, and the subsequent deactivation kinetics results coincident. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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