Deep levels controlling the electrical properties of Fe-implanted GaInP/GaAs (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Deep levels controlling the electrical properties of Fe-implanted GaInP/GaAs (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.2734477 (literal)
Alternative label
  • Beatrice Fraboni; Erio Piana; Tiziana Cesca; Andrea Gasparotto; Massimo Longo; Roberto Jakomin; Luciano Tarricone (2007)
    Deep levels controlling the electrical properties of Fe-implanted GaInP/GaAs
    in Applied physics letters
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Beatrice Fraboni; Erio Piana; Tiziana Cesca; Andrea Gasparotto; Massimo Longo; Roberto Jakomin; Luciano Tarricone (literal)
Pagina inizio
  • 182106 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 90 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Dipartimento di Fisica, Università di Bologna, viale Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, Italy Dipartimento di Fisica, Università di Padova, via Marzolo 8, 35131 Padova, Italy CNR-INFM, Dipartimento di Fisica, Università di Parma, Viale G. P. Usberti 7a, 43100 Parma, Italy Dipartimento di Fisica, Università di Parma, Viale G. P. Usberti 7a, 43100 Parma, Italy (literal)
Titolo
  • Deep levels controlling the electrical properties of Fe-implanted GaInP/GaAs (literal)
Abstract
  • The authors investigated the electrical compensation induced by deep levels introduced in metal organic vapor phase epitaxy grown n(+)-InGaP/GaAs epitaxial layers by high temperature Fe implantation. The activation of the Fe2+-related deep levels has been assessed by current-voltage analyses performed at different temperatures. In the framework of the space charge limited current model, they determined the energy location in the gap of the deep levels that control the electrical properties of the semi-insulating epilayers. A donor level which acts as an electron trap located at E-C-0.5 eV and a Fe-related acceptor level which is responsible for the stable increase of resistivity located at E-V+0.72 eV were identified. (C) 2007 American Institute of Physics. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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