Singular response to a dopant of an evaporating crystal surface (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Singular response to a dopant of an evaporating crystal surface (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1103/PhysRevB.86.161413 (literal)
Alternative label
  • Vladislav Popkov (1,2,3); Paolo Politi (3) (2012)
    Singular response to a dopant of an evaporating crystal surface
    in Physical review. B, Rapid communications (print)
    (literal)
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  • Vladislav Popkov (1,2,3); Paolo Politi (3) (literal)
Pagina inizio
  • 161413(R) (literal)
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  • http://prb.aps.org/abstract/PRB/v86/i14/e144513 (literal)
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  • 86 (literal)
Rivista
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  • 4 (literal)
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  • 16 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1) Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Firenze, via G. Sansone 1, 50019 Sesto Fiorentino, Italy 2) Max Planck Institute for Complex Systems, Nothnitzer Strasse 38, 01187 Dresden, Germany 3) Istituto dei Sistemi Complessi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Via Madonna del Piano 10, 50019 Sesto Fiorentino, Italy (literal)
Titolo
  • Singular response to a dopant of an evaporating crystal surface (literal)
Abstract
  • Moving crystal surfaces can undergo step-bunching instabilities when subjected to an electric current. We show analytically that an infinitesimal quantity of a dopant may invert the stability, whatever the sign of the current. Our study is relevant for experimental results [S. S. Kosolobov et al., JETP Lett. 81, 117 (2005)] on an evaporating Si(111) surface, which show a singular response to Au doping, whose density distribution is related to inhomogeneous Si diffusion. (literal)
Prodotto di
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