@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS036 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID171757 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA6579 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID171757 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9890 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID171757 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1788 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID171757 . @prefix unitaDiPersonaleEsterno: . unitaDiPersonaleEsterno:ID6791 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID171757 . @prefix modulo: . modulo:ID2161 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID171757 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID171757 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID171757 rdfs:label "Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID171757 pubblicazioni:anno "2007-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1016/j.tsf.2006.11.110"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID171757 skos:altLabel "
Valletta A; Gaucci P; Mariucci L; Fortunato G; (2007)
Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors
in Thin solid films (Print); Elsevier Science SA, Lausanne (Svizzera)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Valletta A; Gaucci P; Mariucci L; Fortunato G;"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "7417"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "7421"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609006014684"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "515"^^xsd:string . @prefix ns12: . prodotto:ID171757 pubblicazioni:rivista ns12:ID599284 ; pubblicazioni:pagineTotali "5"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroFascicolo "19"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "IFN-CNR, Via Cineto Romano 42, 00156 Roma, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Experimental measurements and full-2D numerical simulations show that velocity saturation effects in polysilicon thin-film transistor (TFTs) cannot be neglected in order to obtain a precise modelling of output characteristics. Since full-2D numerical simulations are time consuming and unpractical for circuit simulations, we have developed a new quasi-2D model, that takes into account both velocity saturation effects and the presence of a longitudinal electric field in the Poisson's equation, and includes the effect of parasitic bipolar transistor (PBT) action to reproduce kink effect. The agreement of the quasi-2D model with experimental data from p-channel polysilicon TFTs is very satisfactory even for short channel device, and the presence of a velocity-saturated region with a nearly constant free carrier concentration is reproduced without introducing further assumptions."@en . @prefix ns13: . prodotto:ID171757 pubblicazioni:editore ns13:ID11852 ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS036 , modulo:ID2161 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleEsterno:ID6791 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA6579 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9890 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1788 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID171757 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns12:ID599284 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID171757 . ns13:ID11852 pubblicazioni:editoreDi prodotto:ID171757 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID171757 .