Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.tsf.2006.11.110 (literal)

Alternative label

• Valletta A; Gaucci P; Mariucci L; Fortunato G; (2007)
  Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors
  in Thin solid films (Print); Elsevier Science SA, Lausanne (Svizzera)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Valletta A; Gaucci P; Mariucci L; Fortunato G; (literal)

Pagina inizio

• 7417 (literal)

Pagina fine

• 7421 (literal)

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• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609006014684 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 515 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 19 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IFN-CNR, Via Cineto Romano 42, 00156 Roma, Italy (literal)

Titolo

• Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors (literal)

Abstract

• Experimental measurements and full-2D numerical simulations show that velocity saturation effects in polysilicon thin-film transistor (TFTs) cannot be neglected in order to obtain a precise modelling of output characteristics. Since full-2D numerical simulations are time consuming and unpractical for circuit simulations, we have developed a new quasi-2D model, that takes into account both velocity saturation effects and the presence of a longitudinal electric field in the Poisson's equation, and includes the effect of parasitic bipolar transistor (PBT) action to reproduce kink effect. The agreement of the quasi-2D model with experimental data from p-channel polysilicon TFTs is very satisfactory even for short channel device, and the presence of a velocity-saturated region with a nearly constant free carrier concentration is reproduced without introducing further assumptions. (literal)

Editore

• Elsevier Science SA (Editore)

Prodotto di

• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)

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• Thin solid films (Rivista)

Editore di

• Elsevier Science SA (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors" (Insieme di parole chiave)