Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloAnalog HfO2-RRAM switches for neural networks
Anno di pubblicazione2016
FormatoElettronico
Autore/iCovi, E.; Brivio, S.; Frascaroli, J.; Fanciulli, M.; Spiga, S.
Affiliazioni autoriLaboratorio Nazionale MDM; University of Milano - Bicocca
Autori CNR e affiliazioni
  • JACOPO FRASCAROLI
  • ERIKA COVI
  • STEFANO BRIVIO
  • SABINA SPIGA
Lingua/e
  • inglese
AbstractResistive random access memories (REAM) are one of the main constituents of (he class of memristive technologies that arc today considered very promising in semiconductor industry because of their high potential for several applications ranging from nonv olatile memories to neuromorphic hardware. The latter application is particularly interesting, since bio-inspired electronic systems have the ability to treat ill-posed problems with higher efficiency than conventional computing paradigms. In this work, we focus on IflOzb ased RRAM devices and we analyse their switching dynamics in order to reach neuromorphic requirements. We present analogue memristive behaviour in Hf02 RRAM, which allows realizing a simple version of spike timing dependent plasticity learning rule. Finally, the experimental data are used to simulate an unsupervised spiking neuromorphic network for pattern recognition suitable for real-time applications.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da85
Pagine a94
Pagine totali10
RivistaECS transactions (Online)
Attiva dal 2005
Editore: The Electrochemical Society - Pennington, N.J.
Paese di pubblicazione: Stati Uniti d'America
Lingua: inglese
ISSN: 1938-6737
Titolo chiave: ECS transactions (Online)
Titolo proprio: ECS transactions (Online)
Titolo alternativo: Electrochemical Society transactions (Online)
Numero volume della rivista75
Fascicolo della rivista32
DOI10.1149/07532.0085ecst
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazionePublished version
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-85025163245)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:WOS:000435221100009)
Parole chiaveneuromorphic, RRAM, ReRAM, memristor, STDP, analogue
Link (URL, URI)http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-85025163245&origin=inward
Titolo parallelo-
Licenza-
Scadenza embargo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IMM — Istituto per la microelettronica e microsistemi
Moduli/Attività/Sottoprogetti CNR
  • DFM.AD001.075.001 : Real neurons-nanoelectronics Architecture with Memristive Plasticity
Progetti Europei
Allegati