Profilo personale

Paola Frigeri

Le informazioni pubblicate in questa pagina sono gestite in completa autonomia da PAOLA FRIGERI il/la quale se ne assume ogni responsabilità
Aree di interesse:
  • Crescita epitassiale di nanostrutture di semiconduttori III-V. - Ingegnerizzazione delle proprietà di emissione di strutture a punti quantici. - Fabbricazione di micro/nano tubi InGaAs/GaAs. - Funzionalizzazione molecolare di strutture a punti quantici per applicazioni in sensoristica. - Proprietà termoelettriche di nanostrutture.

Contatti

Telefono: 0521 269244
Fax: +39 0521 269206

Identificatori Internazionali

Scopus Author ID: 8648707200
WoS Researcher ID: B-9471-2015

H-index

Scopus H-Index: 24

Attività

Partecipazione a progetti scientifici, campagne di rilevamento, commesse o moduli/attività/sottoprogetti

COST Action MP1403 "Nanoscale Quantum Optics"

Ruolo: Partecipante
Perodo di partecipazione all'attività: 05/2014 - oggi

Design e crescita MBE di strutture a punti quantici di composti III-V per la realizzazione di sorgenti di singolo fotone.

Network of Excellence FP6 SANDiE Self-Assembled Nanostructures

Ruolo: partecipante Unità Operativa
Perodo di partecipazione all'attività: 07/2004 - 07/2008

Preparazione MBE e studio di nanostrutture con efficiente emissione a temperatura ambiente alle lunghezze d'onda di interesse opto-elettronico 1.3 ?m e 1.55 ?m, progettate mediante l'applicazione del concetto di Quantum Dot Strain Engineering.

MIUR-FIRB "Nanotecnologie e Nanodispositivi per la Societa? dell'Informazione"

Ruolo: partecipante unità operativa
Perodo di partecipazione all'attività: 10/2003 - 10/2006
Organizzazioni coinvolte: UNIVERSITA' DI ROMA LA SAPIENZA, UNIVERSITA' DI FIRENZE, UNIVERSITA' DI MILANO-BICOCCA E UNIVERSITA' DI PAVIA.;

Preparazione mediante epitassia da fasci molecolari e studio di nanostrutture a bassa densita? di punti quantici ( 109 cm-2) e realizzazione di strutture per LED a QD singolo e con QD in microcavita?.Nascita e consolidamento delle collaborazione con i gruppi appartenenti alla UO che ha portato alla pubblicazione di numerosi articoli congiunti su riviste internazionali.

MADESS II - sottoprogetto 1,

Ruolo: partecipante unità operativa
Perodo di partecipazione all'attività: 09/1999 - 09/2001

Preparazione mediante Epitassia da Fasci Molecolari e studio di sistemi a dimensionalità ridotta


Prodotti della ricerca

Golovynskyi, Sergii; Datsenko, Oleksandr, I; Seravalli, Luca; Trevisi, Giovanna; Frigeri, Paola; Babichuk, Ivan S.; Golovynska, Iuliia; Li, Baikui; Qu, Junle

Defect influence on in-plane photocurrent of InAs/InGaAs quantum dot array: long-term electron trapping and Coulomb screening

(2019) in Nanotechnology (Bristol. Print)
S Golovynskyi;O I Datsenko;L Seravalli;S V Kondratenko;O Kulinichenko;G Trevisi;P Frigeri;E Gombia;I Golovynska;Baikui Li;Junle Qu

Kinetics peculiarities of photovoltage in vertical metamorphic InAs/InGaAs quantum dot structures

(2019) in Semiconductor science and technology (Print)
Golovynskyi S.1,2, Datsenko O.I.3, Seravalli L.4, Trevisi G.4, Frigeri P.4, Babichuk I.S.1,2, Golovynska I.1, Li Baikui1, Qu Junle1

Deep Level Influence on Photoconductivity of Metamorphic InAs/InGaAs Quantum Dot Structures

(2018) VI International conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2018), Kiev, Ukraine, 27-30/8/2018
Sergii Golovynskyi,1,2 Luca Seravalli,3 Oleksandr I. Datsenko,4 Giovanna Trevisi,3 Paola Frigeri,3 Ivan S. Babichuk,1,2 Iuliia Golovynska,1 and Junle Qu1

Metamorphic InAs/InGaAs Quantum Dots Photoresponsive in the 1.3-1.55 ?m Window

(2018) 2nd Global Summit & Expo on Laser Optics & Photonics, Roma, 14-16/6/2018
Golovynskyi, Sergii; Datsenko, Oleksandr I.; Seravalli, Luca; Trevisi, Giovanna; Frigeri, Paola; Babichuk, Ivan S.; Golovynska, Iuliia; Qu, Junle

Interband Photoconductivity of Metamorphic InAs/InGaAs Quantum Dots in the 1.3-1.55-mu m

(2018) in Nanoscale research letters (Online)
Carrete J.; Vermeersch B.; Thumfart L.; Kakodkar R.R.; Trevisi G.; Frigeri P.; Seravalli L.; Feser J.P.; Rastelli A.; Mingo N.

Predictive Design and Experimental Realization of InAs/GaAs Superlattices with Tailored Thermal Conductivity

(2018) in Journal of physical chemistry. C
Seravalli, L.; Trevisi, G.; Frigeri, P.

Modelling of metamorphic quantum dots for single photon generation at long wavelength

(2018) in Semiconductor science and technology (Print)
Golovynskyi S.; Datsenko O.; Seravalli L.; Kozak O.; Trevisi G.; Frigeri P.; Babichuk I.S.; Golovynska I.; Qu J.

Deep levels in metamorphic InAs/InGaAs quantum dot structures with different composition of the embedding layers

(2017) in Semiconductor science and technology (Print)
Khattak, S. A.; Hayne, M.; Huang, J.; Vanacken, J.; Moshchalkov, V. V.; Seravalli, L.; Trevisi, G.; Frigeri, P.

Exciton confinement in strain-engineered metamorphic InAs/InxGa1-xAs quantum dots

(2017) in Physical Review B
Golovynskyi S.; Seravalli L.; Datsenko O.; Kozak O.; Kondratenko S.V.; Trevisi G.; Frigeri P.; Gombia E.; Lavoryk S.R.; Golovynska I.; Ohulchanskyy T.Y.; Qu J.

Bipolar Effects in Photovoltage of Metamorphic InAs/InGaAs/GaAs Quantum Dot Heterostructures: Characterization and Design Solutions for Light-Sensitive Devices

(2017) in Nanoscale research letters (Online)
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