"Tecnologie di fabbricazione di microelettronica e tecniche di caratterizzazione di dispositivi basati su semiconduttori a larga band-gap (GaN, SiC), per applicazioni elettroniche di alta frequenza e alta potenza" (DFM.AD006.262)
Thematic area
Physical sciences and technologies of matter
Project area
Infrastrutture di ricerca , strumentazione avanzata e nuove metodologie sperimentali e di calcolo (DFM.AD006)Structure responsible for the research project
Department Physical sciences and technologies of matter
Other structures collaborating in the research project
Project manager
ALESSANDRO PECORA
Phone number: 0649934064
Email: ALESSANDRO.PECORA@CNR.IT
Abstract
Obiettivo del progetto è l'offerta di servizi per lo sviluppo e l'ottimizzazione di
processi di fabbricazione di dispositivi di alta frequenza e/o potenza basati su
tecnologia dei semiconduttori a larga band-gap di energia quali Nitruro di Gallio
(GaN) e Carburo di Silicio (SiC).
L'offerta del servizio include la caratterizzazione con tecniche standard (SEM,
Elettriche DC/AC, ecc.) e l'implementazione di tecniche innovative (elettriche e/o
ottiche) per lo studio dell'affidabilità dei dispositivi ad alta frequenza e/o potenza
come ad esempio gli High Electron Mobility Transistors (HEMT).
Start date of activity
01/01/2021
Keywords
Wide Band-gap Semiconductor, hemt, High Frequency and Power electronic devices
Last update: 20/01/2025