Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoAbstract in atti di convegno
TitoloQUASI-ZERO ANODIC VOLTAGE ETCHING OF MACROPORES IN N-TYPE SILICON
Anno di pubblicazione2018
FormatoElettronico
Autore/iLucanos STRAMBINI, Chiara COZZI, Giuseppe BARILLARO
Affiliazioni autoriIEIIT-CNR; Università di Pisa
Autori CNR e affiliazioni
  • GIUSEPPE BARILLARO
  • LUCANOS STRAMBINI
Lingua/e
  • inglese
AbstractHere we report an experimental study about the controlled etching of macropores in n-type silicon electrodes at quasizero anodic voltage using hydrofluoric acid-based photo-electrochemical etching (P-ECE). This breaks a new ground on the controlled electrochemical dissolution of n-type silicon, for which the use of anodic voltage above the electropolishing peaks (VPS, JPS) has been considered to be a golden rule for the etching control, to date. Remarkably, our experimental results clearly show that it is possible to control the etching of macropores at anodic voltages well below (close to zero Volt) the electropolishing peak and that the use of low anodic voltages is beneficial for the fabrication of regular macropores for both larger diameters (e.g. 10 ?m ) and spatial pitches (e.g. 20 ?m).
Pagine da263
Pagine a264
Pagine totali2
Rivista-
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Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazionePublished version
Indicizzazione (in banche dati controllate)-
Parole chiaveElectrochemical dissolution; Micromachining; Silicon; zero anodic voltage
Link (URL, URI)-
Titolo convegno/congressoPorous Semiconductors - Science and Technology 2018
Luogo convegno/congressoLa Grande Motte, France
Data/e convegno/congresso11/03/2018, 16/03/2018
RilevanzaInternazionale
RelazioneContributo
Titolo parallelo-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni
Moduli CNR
    Progetti Europei-
    Allegati