Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloPhysics-based modeling and experimental study of Si-doped InAs/GaAs quantum dot solar cells
Anno di pubblicazione2018
FormatoElettronico
Autore/iAriel Cedola; Dongyoung Kim; Alberto Tibaldi; Mingchu Tang; Arastoo Khalili; Jiang Wu; Huiyun Liu; Federica Cappelluti
Affiliazioni autoriDepartment of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London Istituto di Elettronica e di Ingegneria dell'Informazione e delle Telecomunicazioni, Consiglio Nazionale delle Ricerche
Autori CNR e affiliazioni
  • ALBERTO TIBALDI
Lingua/e
  • inglese
AbstractThis paper presents an experimental and theoretical study on the impact of doping and recombination mechanisms on quantum dot solar cells based on the InAs/GaAs system. Numerical simulations are built on a hybrid approach that includes the quantum features of the charge transfer processes between the nanostructured material and the bulk host material in a classical transport model of the macroscopic continuum. This allows to gain a detailed understanding of the several physical mechanisms affecting the photovoltaic conversion efficiency and provides a quantitatively accurate picture of real devices at a reasonable computational cost. Experimental results demonstrate that QD doping provides a remarkable increase of the solar cell open circuit voltage, which is explained by the numerical simulations as the result of reduced recombination loss through quantum dots and defects.
Lingua abstractinglese
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RivistaInternational Journal of Photoenergy (Print)
Attiva dal 1999
Editore: Hindawi Publishing Corporation - Cairo
Paese di pubblicazione: Egitto
Lingua: inglese
ISSN: 1110-662X
Titolo chiave: International Journal of Photoenergy (Print)
Titolo proprio: International Journal of Photoenergy (Print)
Titolo abbreviato: Int. J. Photoenergy (Print)
Numero volume della rivista-
Fascicolo della rivista-
DOI-
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazionePreprint
Indicizzazione (in banche dati controllate)-
Parole chiavequantum dots, simulation, solar cells
Link (URL, URI)https://www.hindawi.com/journals/ijp/aip/7215843/
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni
Moduli CNR-
Progetti Europei-
Allegati
  • 2018Cedola_IJP_Preprint