Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloNew pulsed measurement setup for GaN and GaAs FETs characterization
Anno di pubblicazione2012
Formato
  • Elettronico
  • Cartaceo
Autore/iSantarelli A.; Cignani R.; Niessen D.; Traverso P.A.; Filicori F.
Affiliazioni autoriDEIS, University of Bologna, Viale Risorgimento 2, Bologna, 40136, Italy DEIS, University of Bologna, Viale Risorgimento 2, Bologna, 40136, Italy DEIS, University of Bologna, Viale Risorgimento 2, Bologna, 40136, Italy DEIS, University of Bologna, Viale Risorgimento 2, Bologna, 40136, Italy DEIS, University of Bologna, Viale Risorgimento 2, Bologna, 40136, Italy
Autori CNR e affiliazioni
  • FABIO FILICORI
Lingua/e
  • inglese
AbstractA new setup is proposed for the measurement of current-voltage pulsed characteristics of electron devices. The main advantages of the system consist in: shorter pulse widths through generation in a 50-? environment, simple average current monitoring through separation of the direct and alternate current paths, setting of average voltage values independently of pulse amplitudes and duty cycle, and stability of the setup guaranteed by wide-band dissipative terminations. The system is used for the characterization of dispersive effects due to carrier energy traps and thermal phenomena in GaAs and GaN on SiC field effect transistors. The basic differences between the two technologies are highlighted in the paper. © 2012 Cambridge University Press and the European Microwave Association.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da387
Pagine a397
Pagine totali11
RivistaInternational journal of microwave and wireless technologies (Online)
Attiva dal 2009
Editore: Cambridge University Press - Cambridge
Paese di pubblicazione: Regno Unito
Lingua: inglese
ISSN: 1759-0795
Titolo chiave: International journal of microwave and wireless technologies (Online)
Titolo proprio: International journal of microwave and wireless technologies (Online)
Titolo abbreviato: Int. j. microw. wirel. technol. (Online)
Numero volume della rivista4
Fascicolo della rivista3
DOI10.1017/S1759078712000335
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazionePublished version
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-84861919059)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000313630900018)
Parole chiaveMicrowave measurements, Modeling, Simulation and characterizations of devices and circuits
Link (URL, URI)http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84861919059&partnerID=q2rCbXpz
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni
Moduli CNR
    Progetti Europei-
    Allegati
    • Pulsed Measurement Setup