Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloA double-pulse technique for the dynamic I/V characterization of GaN FETs
Anno di pubblicazione2014
Formato
  • Elettronico
  • Cartaceo
Autore/iSantarelli A.; Cignani R.; Gibiino G.P.; Niessen D.; Traverso P.A.; Florian C.; Schreurs D.M.M.-P.; Filicori F.
Affiliazioni autoriDepartment of Electrical, Electronic and Information Engineering Guglielmo Marconi (DEI), University of Bologna, Bologna 40136, Italy; Department of Electrical, Electronic and Information Engineering Guglielmo Marconi (DEI), University of Bologna, Bologna 40136, Italy; Department of Electrical, Electronic and Information Engineering Guglielmo Marconi (DEI), University of Bologna, Bologna 40136, Italy; Department of Electrical, Electronic and Information Engineering Guglielmo Marconi (DEI), University of Bologna, Bologna 40136, Italy; Department of Electrical, Electronic and Information Engineering Guglielmo Marconi (DEI), University of Bologna, Bologna 40136, Italy; Department of Electrical, Electronic and Information Engineering Guglielmo Marconi (DEI), University of Bologna, Bologna 40136, Italy; Div. ESAT-TELEMIC, KU Leuven, Leuven B-3001, Belgium; Department of Electrical, Electronic and Information Engineering Guglielmo Marconi (DEI), University of Bologna, Bologna 40136, Italy;
Autori CNR e affiliazioni
  • FABIO FILICORI
Lingua/e
  • inglese
AbstractStandard dynamic characterization methods based on periodic narrow-pulse low duty-cycle excitation waveforms provide suboptimal I/V curves when used along with GaN field effect transistors (FETs), due to complex nonlinear charge trapping effects. Thus, a double-pulse technique for the dynamic characterization of GaN FETs is here presented. The double-pulsed I/V characteristics are shown to be not only isothermal but also corresponding to a fixed charge trapping state. © 2013 IEEE.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da132
Pagine a134
Pagine totali3
RivistaIEEE microwave and wireless components letters
Attiva dal 2001
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers, - New York, NY
Paese di pubblicazione: Stati Uniti d'America
Lingua: inglese
ISSN: 1531-1309
Titolo chiave: IEEE microwave and wireless components letters
Titolo proprio: IEEE microwave and wireless components letters
Titolo abbreviato: IEEE microw. wirel. compon. lett.
Titoli alternativi:
  • Institute of Electrical and Electronics Engineers microwave and wireless components letters
  • Microwave and wireless components letters
Numero volume della rivista24
Fascicolo della rivista2
DOI10.1109/LMWC.2013.2290216
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazionePublished version
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-84896710562)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000331953800022)
Parole chiaveElectrothermal effects, energy states, field effect transistors (FETs), gallium nitride, pulse measurements
Link (URL, URI)http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84896710562&partnerID=q2rCbXpz
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni
Moduli CNR
  • ICT.P07.006.001 : Reti wireless per il monitoraggio ambientale e info-mobilità
Progetti Europei-
Allegati
Double Pulse Technique (documento privato )
Tipo documento: application/pdf