Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloInvestigation of silicon nanowire breakdown properties for the realization of one-time programmable memories
Anno di pubblicazione2011
FormatoCartaceo
Autore/iMassimo Totaro; Giovanni Pennelli; Massimo Piotto
Affiliazioni autoriDipartimento di Ingegneria della Informazione, Università di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria della Informazione, Università di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy IEIIT-PISA, CNR, Via G. Caruso 16, 56122 Pisa, Italy
Autori CNR e affiliazioni
  • MASSIMO PIOTTO
Lingua/e
  • inglese
AbstractIn this work the breakdown properties of silicon nanowires fabricated with a top-down approach are investigated. The breaking voltages and currents of devices based on suspended silicon nanowires with different cross-section widths have been determined. It has been found that devices can be fused using a bias current in the range of 20 lA for sufficiently thin nanowires. In this way a device based on a single nanowire can be used for the fabrication of a fully CMOS-compatible one-time programmable (OTP) memory cell, where the wire conductance distinguishes the ON/OFF states. In the normal operation mode (ON state) the dissipated power can be very low. The solution seems to be promising in terms of scalability and low power consumption, which is a key factor in portable systems.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da2413
Pagine a2416
Pagine totali4
RivistaMicroelectronic engineering
Attiva dal 1983
Editore: North-Holland - Amsterdam
Paese di pubblicazione: Paesi Bassi
Lingua: inglese
ISSN: 0167-9317
Titolo chiave: Microelectronic engineering
Titolo proprio: Microelectronic engineering.
Titolo abbreviato: Microelectron. eng.
Numero volume della rivista88
Fascicolo della rivista8
DOI10.1016/j.mee.2010.12.008
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000293663400193)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-79960055894)
Parole chiaveOTP, Silicon nanowires, CMOS
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — IEIIT - UOS di Pisa
Moduli CNR
    Progetti Europei-
    Allegati
    • Investigation of silicon nanowire breakdown properties for the realization of one-time programmable memories

    Dati associati a vecchie tipologie
    I dati associati a vecchie tipologie non sono modificabili, derivano dal cambiamento della tipologia di prodotto e hanno solo valore storico.
    Editore
    • North Holland Pub. Co., Amsterdam (Paesi Bassi)

    Dati storici
    I dati storici non sono modificabili, sono stati ereditati da altri sistemi (es. Gestione Istituti, PUMA, ...) e hanno solo valore storico.
    Area disciplinareComputer Science & Engineering
    Area valutazione CIVRIngegneria industriale e informatica
    Rivista ISIMICROELECTRONIC ENGINEERING [09547J0]
    Note(ISSN 0167-9317)