| Tipo di prodotto | Articolo in rivista |
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| Titolo | Investigation of silicon nanowire breakdown properties for the realization of one-time programmable memories |
| Anno di pubblicazione | 2011 |
| Formato | Cartaceo |
| Autore/i | Massimo Totaro; Giovanni Pennelli; Massimo Piotto |
| Affiliazioni autori | Dipartimento di Ingegneria della Informazione, Università di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria della Informazione, Università di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy IEIIT-PISA, CNR, Via G. Caruso 16, 56122 Pisa, Italy |
| Autori CNR e affiliazioni |
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| Lingua/e |
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| Abstract | In this work the breakdown properties of silicon nanowires fabricated with a top-down approach are investigated. The breaking voltages and currents of devices based on suspended silicon nanowires with different cross-section widths have been determined. It has been found that devices can be fused using a bias current in the range of 20 lA for sufficiently thin nanowires. In this way a device based on a single nanowire can be used for the fabrication of a fully CMOS-compatible one-time programmable (OTP) memory cell, where the wire conductance distinguishes the ON/OFF states. In the normal operation mode (ON state) the dissipated power can be very low. The solution seems to be promising in terms of scalability and low power consumption, which is a key factor in portable systems. |
| Lingua abstract | inglese |
| Altro abstract | - |
| Lingua altro abstract | - |
| Pagine da | 2413 |
| Pagine a | 2416 |
| Pagine totali | 4 |
| Rivista | Microelectronic engineering Attiva dal 1983 Editore: North-Holland - Amsterdam Paese di pubblicazione: Paesi Bassi Lingua: inglese ISSN: 0167-9317 Titolo chiave: Microelectronic engineering Titolo proprio: Microelectronic engineering. Titolo abbreviato: Microelectron. eng. |
| Numero volume della rivista | 88 |
| Fascicolo della rivista | 8 |
| DOI | 10.1016/j.mee.2010.12.008 |
| Verificato da referee | Sì: Internazionale |
| Stato della pubblicazione | - |
| Indicizzazione (in banche dati controllate) |
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| Parole chiave | OTP, Silicon nanowires, CMOS |
| Link (URL, URI) | - |
| Titolo parallelo | - |
| Data di accettazione | - |
| Note/Altre informazioni | - |
| Strutture CNR |
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| Moduli/Attività/Sottoprogetti CNR |
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| Progetti Europei | - |
| Allegati | Investigation of silicon nanowire breakdown properties for the realization of one-time programmable memories (documento privato ) Tipo documento: "application/octet-stream" |
| Editore |
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| Area disciplinare | Computer Science & Engineering |
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| Area valutazione CIVR | Ingegneria industriale e informatica |
| Rivista ISI | MICROELECTRONIC ENGINEERING [09547J0] |
| Note | (ISSN 0167-9317) |
