Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloSilicon nanowires fabricated by means of an underetching technique
Anno di pubblicazione2005
FormatoCartaceo
Autore/iS. Ciucci; F. D’Angelo; A. Diligenti; B. Pellegrini; G. Pennelli; M. Piotto
Affiliazioni autoriDipartimento di Ingegneria dellInformazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dellInformazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dellInformazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dellInformazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dellInformazione, Universita` di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy IEIIT - Sezione di Pisa, CNR, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy
Autori CNR e affiliazioni
  • MASSIMO PIOTTO
Lingua/e
  • inglese
AbstractSilicon wires with nanometric dimensions have been fabricated on SIMOX wafers by means of e-beam lithography and wet chemical etchings, exploiting the underetching properties of the KOH etchant. The cross section of the resistors has a trapezoidal shape; a minimum top width of 40 nm has been obtained. The whole process required only two writing steps. I-V characteristics were measured at room temperature as a function of the backgate voltage.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da338
Pagine a342
Pagine totali-
RivistaMicroelectronic engineering
Attiva dal 1983
Editore: North-Holland - Amsterdam
Paese di pubblicazione: Paesi Bassi
Lingua: inglese
ISSN: 0167-9317
Titolo chiave: Microelectronic engineering
Titolo proprio: Microelectronic engineering.
Titolo abbreviato: Microelectron. eng.
Numero volume della rivista78-79
Fascicolo della rivista-
DOI10.1016/j.mee.2004.12.044
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000228589700056)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-14944376696)
Parole chiavenanowires, e-beam lithography, silicon micromachining
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — IEIIT - UOS di Pisa
Moduli CNR
    Progetti Europei-
    Allegati
    • Silicon nanowires fabricated by means of an underetching technique

    Dati associati a vecchie tipologie
    I dati associati a vecchie tipologie non sono modificabili, derivano dal cambiamento della tipologia di prodotto e hanno solo valore storico.
    Editore
    • North Holland Pub. Co., Amsterdam (Paesi Bassi)

    Dati storici
    I dati storici non sono modificabili, sono stati ereditati da altri sistemi (es. Gestione Istituti, PUMA, ...) e hanno solo valore storico.
    Area disciplinareElectrical & Electronics Engineering
    Area valutazione CIVRIngegneria industriale e informatica
    Rivista ISIMICROELECTRONIC ENGINEERING [09547J0]