Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloSimulation of Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors
Anno di pubblicazione2007
Formato-
Autore/iG. Fiori, G. Iannaccone
Affiliazioni autori-
Autori CNR e affiliazioni
  • GIUSEPPE IANNACCONE
  • GIANLUCA FIORI
Lingua/e-
Abstract-
Lingua abstract-
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da760
Pagine a762
Pagine totali-
RivistaIEEE electron device letters (Print)
Attiva dal 1980
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers, - New York, NY
Paese di pubblicazione: Stati Uniti d'America
Lingua: inglese
ISSN: 0741-3106
Titolo chiave: IEEE electron device letters (Print)
Titolo proprio: IEEE electron device letters (Print)
Titolo abbreviato: IEEE electron device lett. (Print)
Titoli alternativi:
  • Institute of Electrical and Electronics Engineers electron device letters (Print)
  • Electron device letters (Print)
  • I.E.E.E. electron device letters (Print)
Numero volume della rivista28
Fascicolo della rivista-
DOI-
Verificato da referee-
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)-
Parole chiave-
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni
Moduli CNR
    Progetti Europei-
    Allegati

      Dati storici
      I dati storici non sono modificabili, sono stati ereditati da altri sistemi (es. Gestione Istituti, PUMA, ...) e hanno solo valore storico.
      Area disciplinareElectrical & Electronics Engineering
      Area valutazione CIVRIngegneria industriale e informatica
      Rivista ISIIEEE ELECTRON DEVICE LETTERS [04572J0]