Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloFabrication and characterization of silicon nanowires with triangular cross section
Anno di pubblicazione2006
FormatoCartaceo
Autore/iG. Pennelli; M. Piotto
Affiliazioni autoriDipartimento di Ingegneria dell'Informazione, Università di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy IEIIT-Pisa, CNR, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy
Autori CNR e affiliazioni
  • MASSIMO PIOTTO VQR
Lingua/e
  • inglese
AbstractFabrication processes for silicon nanowires with triangular cross section are presented. Processes based on high resolution electron beam lithography and anisotropic etching have been developed on silicon on insulator substrates. As shown by numerical simulations, the triangular shape of the wire allows strong reduction of the dimensions by successive oxidation steps. Moreover, it is easy to define a gate on top of the wire that wraps the device and, with the back gate silicon substrate, allows the biasing of the structure on all sides. The conduction through the wire, as a function of the gate bias and for different temperatures, is reported and discussed.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da054507-1
Pagine a054507-9
Pagine totali9
RivistaJournal of applied physics
Attiva dal 1937
Editore: American Institute of Physics, - New York, N.Y.
Paese di pubblicazione: Stati Uniti d'America
Lingua: inglese
ISSN: 0021-8979
Titolo chiave: Journal of applied physics
Titolo proprio: Journal of applied physics.
Titolo abbreviato: J. appl. physi.
Numero volume della rivista100
Fascicolo della rivista5
DOI10.1063/1.2338599
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000240602500116)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-33748880316)
Parole chiave-
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — IEIIT - UOS di Pisa
Moduli CNR
    Progetti Europei-
    Allegati
    • Fabrication and characterization of silicon nanowires with triangular cross section

    Dati associati a vecchie tipologie
    I dati associati a vecchie tipologie non sono modificabili, derivano dal cambiamento della tipologia di prodotto e hanno solo valore storico.
    Editore
    • AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)

    Dati storici
    I dati storici non sono modificabili, sono stati ereditati da altri sistemi (es. Gestione Istituti, PUMA, ...) e hanno solo valore storico.
    Rivista ISIJOURNAL OF APPLIED PHYSICS [50336J0]
    Note054507-1 a 054507-9