Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloA fabrication process for a silicon tunnel barrier with self aligned gate
Anno di pubblicazione2006
FormatoCartaceo
Autore/iG. Pennelli, M. Piotto
Affiliazioni autoriDipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Università di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy IEIIT - Pisa, CNR, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy
Autori CNR e affiliazioni
  • MASSIMO PIOTTO
Lingua/e
  • inglese
AbstractA process for fabricating a device based on tunneling through a very thin vertical silicon membrane is presented. The process has been developed on a ?1 1 0? oriented silicon wafer using high resolution e-beam lithography and KOH anisotropic etching to define the structure. A single evaporation step allows the fabrication of both the source-drain contacts and a control gate self aligned to the top of the silicon membrane. A vertical silicon membrane with a thickness of 15 nm has been obtained.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da1559
Pagine a1562
Pagine totali-
RivistaMicroelectronic engineering
Attiva dal 1983
Editore: North-Holland - Amsterdam
Paese di pubblicazione: Paesi Bassi
Lingua: inglese
ISSN: 0167-9317
Titolo chiave: Microelectronic engineering
Titolo proprio: Microelectronic engineering.
Titolo abbreviato: Microelectron. eng.
Numero volume della rivista83
Fascicolo della rivista4-9
DOI10.1016/j.mee.2006.01.179
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000237581900227)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-33646032404)
Parole chiaveElectron beam lithography, Micromachining, Silicon, Tunneling
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — IEIIT - UOS di Pisa
Moduli/Attività/Sottoprogetti CNR
  • ICT.P07.001.001 : Sistemi e dispositivi per le tecnologie dell'informazione
Progetti Europei-
Allegati
A fabrication process for a silicon tunnel barrier with self aligned gate (documento privato )
Tipo documento: "application/octet-stream"

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Editore
  • ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)

Dati storici
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Rivista ISIMICROELECTRONIC ENGINEERING [09547J0]