Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloSilicon single electron transistor fabricated by anisotropic etch and oxidation
Anno di pubblicazione2006
FormatoCartaceo
Autore/iG. Pennelli; M. Piotto; G. Barillaro
Affiliazioni autoriDipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Università di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy IEIIT - Pisa, CNR, via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Università di Pisa, Via G. Caruso, I-56122 Pisa, Italy
Autori CNR e affiliazioni
  • MASSIMO PIOTTO
Lingua/e
  • inglese
AbstractIn this work, we propose a fabrication process for a single-electron transistor on silicon. The process is developed on silicon on insulator wafer and it is based on electron beam lithography and KOH anisotropic etching. A structure composed by a small silicon isle connected to the leads by channels with triangular cross-section is obtained. Channel dimensions have been reduced by oxidation and the substrate has been used as backgate. Preliminary I-V characteristics show phenomena of charge/discharge at room temperature.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da1710
Pagine a1713
Pagine totali-
RivistaMicroelectronic engineering
Attiva dal 1983
Editore: North-Holland - Amsterdam
Paese di pubblicazione: Paesi Bassi
Lingua: inglese
ISSN: 0167-9317
Titolo chiave: Microelectronic engineering
Titolo proprio: Microelectronic engineering.
Titolo abbreviato: Microelectron. eng.
Numero volume della rivista83
Fascicolo della rivista4-9
DOI10.1016/j.mee.2006.01.144
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000237581900263)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-33646047145)
Parole chiaveAnisotropic etching; Electron beam lithography; single-electron transistor (SET)
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — IEIIT - UOS di Pisa
Moduli CNR
    Progetti Europei-
    Allegati
    • Silicon single electron transistor fabricated by anisotropic etch and oxidation

    Dati associati a vecchie tipologie
    I dati associati a vecchie tipologie non sono modificabili, derivano dal cambiamento della tipologia di prodotto e hanno solo valore storico.
    Editore
    • ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)

    Dati storici
    I dati storici non sono modificabili, sono stati ereditati da altri sistemi (es. Gestione Istituti, PUMA, ...) e hanno solo valore storico.
    Rivista ISIMICROELECTRONIC ENGINEERING [09547J0]