Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloNon-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs
Anno di pubblicazione2003
FormatoCartaceo
Autore/iG. Barillaro; A. Diligenti; M. Piotto; M. Allegrini; F. Fuso; L. Pardi
Affiliazioni autoriDipartimento di Ingegneria dell'Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi 2, Pisa 56126, Italy Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi 2, Pisa 56126, Italy Centro di Studio per Metodi e Dispositivi per Radiotrasmissioni, Via Diotisalvi 2, Pisa 56126, Italy INFM, Dipartimento di Fisica ''Enrico Fermi'', Universita` di Pisa, Via Buonarroti 2, Pisa 56127, Italy INFM, Dipartimento di Fisica ''Enrico Fermi'', Universita` di Pisa, Via Buonarroti 2, Pisa 56127, Italy INFM, Dipartimento di Fisica ''Enrico Fermi'', Universita` di Pisa, Via Buonarroti 2, Pisa 56127, Italy
Autori CNR e affiliazioni
  • MASSIMO PIOTTO
Lingua/e
  • inglese
AbstractPorous silicon (PoSi) LEDs are today under investigation for integration of optoelectronic silicon devices with standard microelectronic circuits. The electrical and optical properties of these devices depend on the anodization parameters (current density and time) of the PoSi formation process. However, a constant anodization current is generally used to fabricate the active PoSi layer of LEDs, and only few works exist in which a non-constant anodization current is reported. In this work, a study of the anodization current effects on the clectroluminescence (EL) spectra of PoSi LEDs having around 0.1% of external quantum efficiency is presented. Several anodization current waveforms (constant, linear, triangular, and trapezoidal) were used to fabricate layers with different mechanical and optical properties. EL spectra of fabricated devices are reported and discussed.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da266
Pagine a269
Pagine totali-
RivistaMaterials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
Attiva dal 1988
Editore: Elsevier Sequoia - Lausanne
Paese di pubblicazione: Svizzera
Lingua: inglese
ISSN: 0921-5107
Titolo chiave: Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
Titolo proprio: Materials science & engineering.
Titolo abbreviato: Mater. sci. eng., B, Solid-state mater. adv. technol.
Numero volume della rivista101
Fascicolo della rivista1-3
DOI10.1016/S0921-5107(02)00694-3
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000184394900054)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-1642311100)
Parole chiaveporous silicon, light-emitting diode, electroluminescence spectra
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — IEIIT - UOS di Pisa
Moduli CNR-
Progetti Europei-
Allegati
  • Non-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs

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Editore
  • Elsevier Sequoia, Lausanne (Svizzera)

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Rivista ISIMATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY [07539J0]