Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloFabrication and characterization of highly doped suspended silicon wires
Anno di pubblicazione2003
FormatoCartaceo
Autore/iA. Diligenti; M. Macucci; B. Pellegrini; M. Piotto
Affiliazioni autoriDipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy Dipartimento di Ingegneria dell' Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy Istituto di Elettronica e di Ingegneria dell' Informazione e delle Telecomunicazioni, CNR, Via Diotisalvi, 2, I-56122 Pisa, Italy
Autori CNR e affiliazioni
  • MASSIMO PIOTTO
Lingua/e
  • inglese
AbstractHighly doped suspended silicon wires are fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) wafer. The fabrication is based on a three-mask process which uses only standard photolithography, wet etching, and thermal treatments. The starting material was highly doped by means of the spin-on-dopant technique and wires with dimensions in the nanometer range were obtained. Preliminary results about two-probe measurements of the I-V characteristics and a noise analysis of undamaged and damaged wires are presented and discussed.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da676
Pagine a682
Pagine totali-
RivistaMicroelectronic engineering
Attiva dal 1983
Editore: North-Holland - Amsterdam
Paese di pubblicazione: Paesi Bassi
Lingua: inglese
ISSN: 0167-9317
Titolo chiave: Microelectronic engineering
Titolo proprio: Microelectronic engineering.
Titolo abbreviato: Microelectron. eng.
Numero volume della rivista67-68
Fascicolo della rivista-
DOI10.1016/S0167-9317(03)00129-1
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000183842100093)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-0037682243)
Parole chiavenanowires, silicon, noise measurements, micromachining
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — IEIIT - UOS di Pisa
Moduli CNR-
Progetti Europei-
Allegati
  • Fabrication and characterization of highly doped suspended silicon wires

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Editore
  • North Holland Pub. Co., Amsterdam (Paesi Bassi)

Dati storici
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Rivista ISIMICROELECTRONIC ENGINEERING [09547J0]