Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloFabrication of a silicon-vacuum field-emission microdiode with a moving anode
Anno di pubblicazione1998
FormatoCartaceo
Autore/iP. Bruschi; A. Diligenti; F. Iani; A. Nannini; M. Piotto
Affiliazioni autoriDipartimento di Ingegneria dell'Informazione: Elettronica, Informatica, Telecomunicazioni, Universita` di Pisa, I56126 Pisa, Italy
Autori CNR e affiliazioni
  • MASSIMO PIOTTO
Lingua/e
  • inglese
AbstractA vacuum microdiode with a moving anode was fabricated by means of a new process requiring only two mask levels and only one critical etching step. The cathode, with a pyramidal shape, was made by anisotropically etching p silicon through a mask formed by the anode itself, which, at the end of the process, consists of a SiO2 suspended membrane supporting an Al layer. The process is compatible with standard complementary metal-oxide-semiconductor technology. I-V characteristics were measured under vacuum verifying also that the diode current is sensitive to visible light irradiation and to changes of the anode-to-cathode distance. A minimum anode-cathode distance of about 5000 Å was obtained.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da665
Pagine a669
Pagine totali-
RivistaJournal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures
Attiva dal 1991 al 2009
Editore: Published for the Society by the American Institute of Physics, - New York
Paese di pubblicazione: Stati Uniti d'America
Lingua: inglese
ISSN: 1071-1023
Titolo chiave: Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures
Titolo proprio: Journal of vacuum science & technology.
Titolo abbreviato: J. vac. sci. technol., B, Microelectron. nanometer struct.
Titoli alternativi:
  • Journal of vacuum science & technology.
  • B,
  • International journal devoted to microelectronics and nanometer structures :
  • Microelectronics and nanometer structures
  • Journal of vacuum science and technology.
  • B,
  • Microelectronics and nanometer structures
  • JVST B
Numero volume della rivista16
Fascicolo della rivista2
DOI10.1116/1.589877
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000073167200033)
  • Scopus (Codice:2-s2.0-0032023180)
Parole chiave-
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — IEIIT - UOS di Pisa
Moduli CNR-
Progetti Europei-
Allegati
  • Fabrication of a silicon-vacuum field-emission microdiode with a moving anode