Consiglio Nazionale delle Ricerche

Tipo di prodottoArticolo in rivista
TitoloSelective Doping of Silicon Nanowires by Means of Electron Beam Stimulated Oxide Etching
Anno di pubblicazione2012
FormatoCartaceo
Autore/iG. Penneli;M. Totaro; M. Piotto
Affiliazioni autoriDipartimento di Ingegneria della Informazione, Universita? di Pisa, Via G.Caruso, I-56122 Pisa, Italy. IEIIT - Pisa, CNR, Via G.Caruso, I-56122 Pisa, Italy.
Autori CNR e affiliazioni
  • MASSIMO PIOTTO
Lingua/e
  • inglese
AbstractDirect patterning of silicon dioxide by means of electron beam stimulated etching is shown, and a full characterization of exposure dose is presented. For its high dose, this technique is unsuitable for large areas but can be usefully employed like a precision scalpel for removing silicon dioxide by well-localized points. In this work, this technique is applied to the definition of windows through the oxide surrounding top down fabricated n-doped silicon nanowires. These windows will be employed for a selective doping of the nanowire by boron diffusion. In this way, pn junctions can be fabricated in welllocalized points in the longitudinal direction of the nanowire, and an electrical contact to the different junctions can be provided. Electrical I-V characteristics of a nanowire with pn longitudinal junctions are reported and discussed.
Lingua abstractinglese
Altro abstract-
Lingua altro abstract-
Pagine da1096
Pagine a1101
Pagine totali6
RivistaNano letters (Print)
Attiva dal 2001
Editore: American Chemical Society, - Washington, DC
Paese di pubblicazione: Stati Uniti d'America
Lingua: inglese
ISSN: 1530-6984
Titolo chiave: Nano letters (Print)
Titolo proprio: Nano letters. (Print)
Titolo abbreviato: Nano lett. (Print)
Numero volume della rivista12
Fascicolo della rivista2
DOI10.1021/nl2045183
Verificato da refereeSì: Internazionale
Stato della pubblicazione-
Indicizzazione (in banche dati controllate)
  • ISI Web of Science (WOS) (Codice:000299967800096)
Parole chiavesilicon nanowires, selective doping, e-beam stimulated oxide etching, pn nanojunctions
Link (URL, URI)-
Titolo parallelo-
Data di accettazione-
Note/Altre informazioni-
Strutture CNR
  • IEIIT — IEIIT - UOS di Pisa
Moduli CNR
    Progetti Europei-
    Allegati
    • Selective Doping of Silicon Nanowires by Means of Electron Beam Stimulated Oxide Etching

    Dati associati a vecchie tipologie
    I dati associati a vecchie tipologie non sono modificabili, derivano dal cambiamento della tipologia di prodotto e hanno solo valore storico.
    Editore
    • American Chemical Society, Washington (Stati Uniti d'America)