@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID86957 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA4000 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID86957 . @prefix modulo: . modulo:ID2678 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID86957 . @prefix rdf: . prodotto:ID86957 rdf:type prodotto:TIPO1301 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID86957 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID86957 rdfs:label "Planar silicon SPADs with improved photon detection efficiency (Contributo in atti di convegno)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID86957 pubblicazioni:anno "2011-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1117/12.874685"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID86957 skos:altLabel "
Gulinatti A, Panzeri F, Rech I, Maccagnani P, Ghioni M, Cova SD (2011)
Planar silicon SPADs with improved photon detection efficiency
in Conference on Quantum Sensing and Nanophotonic Devices VIII, San Francisco, JAN 23-27, 2011
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Gulinatti A, Panzeri F, Rech I, Maccagnani P, Ghioni M, Cova SD"^^xsd:string ; pubblicazioni:titoloVolume "Proceedings of SPIE QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES VIII"^^xsd:string ; pubblicazioni:volumeInCollana "7945"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID86957 pubblicazioni:rivista ns11:ID427570 ; skos:note "Scopu"^^xsd:string , "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Politecn Milan, Dipartimento Elettron & Informaz, I-20133 Milan, Italy\nIMM CNR, Sez Bologna, I-40129 Bologna, Italy\nMPD Micro Photon Devices, I-39100 Bolzano, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Planar silicon SPADs with improved photon detection efficiency"^^xsd:string ; pubblicazioni:isbn "978-0-81948-482-6"^^xsd:string ; pubblicazioni:curatoriVolume "Razeghi, M, Sudharsanan, R, Brown, GJ"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Remarkable advances in semiconductor technology as long as improvements in device design resulted in today's Silicon Single Photon Avalanche Diodes (SPADs) that are widely used in many demanding applications thanks to their excellent performance. However a lot of work is still be done in order to simultaneously meet three requirements crucial in a large number of applications, i.e. high Photon Detection Efficiency (PDE), good timing resolution and suitability for the fabrication of arrays.\nWe will report on our advances on the development of a new planar silicon SPAD with high photon detection efficiency (PDE) and good photon timing resolution. A thick epitaxial layer allows for the absorption of a significant fraction of photons even at the longer wavelengths, while a suitable electric field profile limits the breakdown voltage value and the timing jitter; biased guard rings are also included to prevent edge breakdown. Preliminary results show that the new devices can attain a PDE as high as 30% at a wavelength of 800nm while keeping photon detection jitter below 100ps."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS057 , modulo:ID2678 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA4000 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID86957 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID427570 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID86957 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID86957 .