@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS057 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID86641 . @prefix rdf: . prodotto:ID86641 rdf:type prodotto:TIPO1301 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID86641 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID86641 rdfs:label "Raman Approach for Study of Amplification in Porous Silicon at 1.5 micron (Contributo in atti di convegno)"@en . @prefix xsd: . @prefix pubblicazioni: . prodotto:ID86641 pubblicazioni:anno "2006-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1117/12.663432"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID86641 skos:altLabel "
Ferrara MA, Sirleto L, Jalali B, Rendina I (2006)
Raman Approach for Study of Amplification in Porous Silicon at 1.5 micron
in SPIE: Integrated Optics, Silicon Photonics, and Photonic Integrated Circuits, Strasbourg, France
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Ferrara MA, Sirleto L, Jalali B, Rendina I"^^xsd:string ; pubblicazioni:titoloVolume "Integrated Optics, Silicon Photonics, and Photonic Integrated Circuits"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "6183"^^xsd:string . @prefix ns9: . prodotto:ID86641 pubblicazioni:rivista ns9:ID427570 ; pubblicazioni:note "Proc. SPIE 6183, 61831U (2006)"^^xsd:string ; pubblicazioni:pagineTotali "8"^^xsd:string ; pubblicazioni:descrizioneSinteticaDelProdotto "In the last years, the possibility of light generation and/or amplification in silicon, based on Raman emission, has achieved great results. However, some significant limitations, inherent to the physics of silicon, have been pointed out, too. In order to overcome these limitations, a possible option is to consider low dimensional silicon. On this line of argument, an approach based on Raman scattering in porous silicon is presented. We prove two significant advantage with respect to silicon: the broadening of spontaneous Raman emission and the tuning of the Stokes shift. Finally, we discuss about the prospect of Raman amplifier in porous silicon."^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "IMM-CNR Napoli;\nUniv. of California/Los Angeles"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Raman Approach for Study of Amplification in Porous Silicon at 1.5 micron"^^xsd:string ; pubblicazioni:isbn "0-8194-6239-X"^^xsd:string ; pubblicazioni:curatoriVolume "G.C. Righini"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "In the last years, the possibility of light generation and/or amplification in silicon, based on Raman emission, has achieved great results. However, some significant limitations, inherent to the physics of silicon, have been pointed out, too. In order to overcome these limitations, a possible option is to consider low dimensional silicon. On this line of argument, an approach based on Raman scattering in porous silicon is presented. We prove two significant advantage with respect to silicon: the broadening of spontaneous Raman emission and the tuning of the Stokes shift. Finally, we discuss about the prospect of Raman amplifier in porous silicon."@en . @prefix modulo: . prodotto:ID86641 prodottidellaricerca:prodottoDi modulo:ID2681 , istituto:CDS057 . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . prodotto:ID86641 pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8321 . @prefix unitaDiPersonaleEsterno: . prodotto:ID86641 pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleEsterno:ID4361 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA732 . unitaDiPersonaleEsterno:ID4361 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID86641 . modulo:ID2681 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID86641 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA8321 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID86641 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA732 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID86641 . ns9:ID427570 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID86641 .