@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS054 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID57471 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1679 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID57471 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11419 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID57471 . @prefix rdf: . @prefix retescientifica: . prodotto:ID57471 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca , prodotto:TIPO1101 . @prefix rdfs: . prodotto:ID57471 rdfs:label "Crystalline silicon nitride passivating the Si(111) surface: A study of the Au growth mode (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID57471 pubblicazioni:anno "2005-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1016/j.susc.2005.02.005"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID57471 skos:altLabel "
Flammini R.(a), Belkhou R.(b), Wiame F.(b), Iacobucci S.(a), Taleb-Ibrahimi A.(b) (2005)
Crystalline silicon nitride passivating the Si(111) surface: A study of the Au growth mode
in Surface science
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Flammini R.(a), Belkhou R.(b), Wiame F.(b), Iacobucci S.(a), Taleb-Ibrahimi A.(b)"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "188"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "196"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "579"^^xsd:string . @prefix ns10: . prodotto:ID57471 pubblicazioni:rivista ns10:ID599255 ; pubblicazioni:note "fasc. (2-3). Elsevier."^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "a IMIP-CNR Istituto di Metodologie Inorganiche e dei Plasmi, Via Salaria km 29.300, 00010 Montelibretti, Roma, Italy\nb L.U.R.E. Centre Universitaire de Paris Sud, 91898 Orsay, France"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Crystalline silicon nitride passivating the Si(111) surface: A study of the Au growth mode"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "The growth of gold on a silicon nitride thin film grown on a Si(1 1 1) surface was investigated by means of core-level and valence band photoelectron spectroscopy. After in situ thermal passivation by NH3 of the silicon substrate, gold was deposited at room temperature. We followed the Si 2p and Au 4f core-levels as well as valence band spectra as a function of the gold coverage. The metal adsorbate follows the Volmer\u0096Weber growth mode. The formation of a nonreactive and abrupt interface between the metal and insulator layer is clearly demonstrated."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS054 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA11419 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1679 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID57471 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns10:ID599255 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID57471 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID57471 .