@prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . @prefix prodotto: . istituto:CDS087 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID52415 . @prefix modulo: . modulo:ID2172 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID52415 . @prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27758 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID52415 . @prefix rdf: . prodotto:ID52415 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID52415 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID52415 rdfs:label "Temperature dependence of the size distribution function of InAs quantum dots on GaAs(001) (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID52415 pubblicazioni:anno "2010-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1103/PhysRevB.81.165306"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID52415 skos:altLabel "
Arciprete F., Fanfoni M., Patella F., Della Pia A., Balzarotti A.,Placidi E. (2010)
Temperature dependence of the size distribution function of InAs quantum dots on GaAs(001)
in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Arciprete F., Fanfoni M., Patella F., Della Pia A., Balzarotti A.,Placidi E."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "165306-1"^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaFine "165306-5"^^xsd:string ; pubblicazioni:url "http://prb.aps.org/abstract/PRB/v81/i16/e165306"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "81"^^xsd:string . @prefix ns11: . prodotto:ID52415 pubblicazioni:rivista ns11:ID183556 ; pubblicazioni:pagineTotali "5"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroFascicolo "16"^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "Univ Roma Tor Vergata, Dipartimento Fis, I-00133 Rome, Italy\nCNR CNISM, I-00133 Rome, Italy"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Temperature dependence of the size distribution function of InAs quantum dots on GaAs(001)"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "We present a detailed atomic-force-microscopy study of the effect of annealing on InAs/GaAs(001) quantum dots grown by molecular-beam epitaxy. Samples were grown at a low growth rate at 500\u00B0C with an InAs coverage slightly greater than critical thickness and subsequently annealed at several temperatures. We find that immediately quenched samples exhibit a bimodal size distribution with a high density of small dots (<50 nm3) while annealing at temperatures greater than 420?\u00B0C leads to a unimodal size distribution. This result indicates a coarsening process governing the evolution of the island size distribution function which is limited by the attachment-detachment of the adatoms at the island boundary. At higher temperatures one cannot ascribe a single rate-determining step for coarsening because of the increased role of adatom diffusion. However, for long annealing times at 500\u00B0C the island size distribution is strongly affected by In desorption."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS087 , modulo:ID2172 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA27758 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID52415 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns11:ID183556 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID52415 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID52415 .