@prefix pubblicazioni: . @prefix unitaDiPersonaleInterno: . @prefix prodotto: . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1422 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID51959 . unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9636 pubblicazioni:autoreCNRDi prodotto:ID51959 . @prefix prodottidellaricerca: . @prefix istituto: . istituto:CDS087 prodottidellaricerca:prodotto prodotto:ID51959 . @prefix rdf: . prodotto:ID51959 rdf:type prodotto:TIPO1101 . @prefix retescientifica: . prodotto:ID51959 rdf:type retescientifica:ProdottoDellaRicerca . @prefix rdfs: . prodotto:ID51959 rdfs:label "Nitrogen passivation by hydrogen in GaAsyN1_y and InxGa1_xAsyN1_y alloys (Articolo in rivista)"@en . @prefix xsd: . prodotto:ID51959 pubblicazioni:anno "2003-01-01T00:00:00+01:00"^^xsd:gYear ; pubblicazioni:doi "10.1103/PhysRevB.68.115202"^^xsd:string . @prefix skos: . prodotto:ID51959 skos:altLabel "
Amore Bonapasta A., Filippone F., Giannozzi P. (2003)
Nitrogen passivation by hydrogen in GaAsyN1_y and InxGa1_xAsyN1_y alloys
in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online)
"^^rdf:HTML ; pubblicazioni:autori "Amore Bonapasta A., Filippone F., Giannozzi P."^^xsd:string ; pubblicazioni:paginaInizio "115202"^^xsd:string ; pubblicazioni:altreInformazioni "I risultati ottenuti possono essere utilizzati per il design della gap di semiconduttori III-V che rappresenta un obiettivo centrale della fisica dei semiconduttori strettamente connesso alle applicazioni tecnologiche. Una forte riduzione della gap di materiali binari e ternari III-V puo\u0092 infatti essere ottenuta mediante l\u0092introduzione di qualche percento di N. Tale effetto puo\u0092 essere poi neutralizzato in particolari zone di una struttura a semiconduttore mediante l\u0092introduzione controllata di idrogeno, facilitando la realizzazione di strutture a semiconduttore in cui gli strati attivi sono alternati a strati con gap differente. In questo contesto, lo studio effettuato fornisce indicazioni accurate su un controllo della formazione dei complessi N-H mediante drogaggio utili per un defect engineering dei materiali. Il primo autore (ISM-CNR) e\u0092 anche corresponding author.\nImpact factor del lavoro (2002): 3.07"^^xsd:string ; pubblicazioni:numeroVolume "68"^^xsd:string . @prefix ns10: . prodotto:ID51959 pubblicazioni:rivista ns10:ID183556 ; pubblicazioni:pagineTotali "11"^^xsd:string ; pubblicazioni:descrizioneSinteticaDelProdotto "Sono riportati i risultati di uno studio delle proprieta\u0092 dei complessi N-H in semiconduttori III-V binari e ternari con N (GaAsN, InGaAsN). Lo studio e\u0092 motivato da due importanti risultati sperimentali: a) qualche percento di N in semiconduttori III-V produce una forte riduzione (300-400 meV) della band gap del materiale ospite, b) l\u0092introduzione di H atomico nella lega III-V-N determina la formazione di complessi N-H che provocano la completa passivazione degli effetti dell\u0092azoto inducendo il recupero della band gap. I risultati teorici chiariscono la formazione dei complessi N-H e, in particolare, mostrano che la formazione dei complessi puo\u0092 essere influenzata dalle condizioni di doping del materiale; 2) predicono l\u0092esistenza di un nuovo complesso stabile solo in presenza di N; 3) danno supporto ad un modello di passivazione proposto per il GaAsN che risulta valere anche per InGaAsN. 4) mostrano che l\u0092H monoatomico si comporta esclusivamente come impurezza donore in InGaAsN invece che impurezza anfotera come accade nel caso dei semiconduttori III-V in generale. Questo effetto sembra correlato alla band gap dell\u0092InGaAsN che risulta essere significativamente minore di quella del GaAsN."^^xsd:string ; skos:note "ISI Web of Science (WOS)"^^xsd:string ; pubblicazioni:affiliazioni "CNR\nScuola Normale Superiore Pisa"^^xsd:string ; pubblicazioni:titolo "Nitrogen passivation by hydrogen in GaAsyN1_y and InxGa1_xAsyN1_y alloys"^^xsd:string ; prodottidellaricerca:abstract "Previous theoretical studies on N-H complexes in GaAsN have been extended here to new di-hydrogen complex configurations and to N-H complexes in the In0.25Ga0.75As0.97N0.03 alloy. Moreover, a deeper analysis has been performed on the structure, formation energies, chemical bonding and electronic properties of old and new N-H complexes in the above alloys. On the ground of the achieved results, the existence of a novel di-hydrogen complex is predicted that is characterized by a C2v symmetry and peculiar vibrational properties. Complexes with this symmetry are not stable in N-free GaAs. Further, we propose a sound model for the N passivation founded on the characteristics of the electronic states and the local atomic relaxations induced by the N-H complexes. This model explains why the N passivation is not achieved in the case of monohydrogen complexes and realized through the formation of the N-H dihydrogen complexes. Finally, it is suggested that different N-H complexes (and different vibrational spectra) should be observed in hydrogenated p-type and n-type N-containing alloys."@en ; prodottidellaricerca:prodottoDi istituto:CDS087 ; pubblicazioni:autoreCNR unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA1422 , unitaDiPersonaleInterno:MATRICOLA9636 . @prefix parolechiave: . prodotto:ID51959 parolechiave:insiemeDiParoleChiave . ns10:ID183556 pubblicazioni:rivistaDi prodotto:ID51959 . parolechiave:insiemeDiParoleChiaveDi prodotto:ID51959 .